东芝早前展示的64层堆栈3D NAND闪存核心容量达到了512Gb（64GB），比目前的NAND闪存密度提高了65%，是容量最高的3D NAND闪存之一，可以轻松制造出1TB的SSD硬盘。这次发布的XG5就是这样的产品，M.2 2280规格，容量分别是256GB、512GB和1024GB，单面布局即可实现1TB M.2硬盘。

除了体积小巧的优势之外，XG5硬盘的性能也不错，使用了PCI-E 3.0 x4及SLC缓存，连续读取速度可达3GB/s，写入速度也有2.1GB/s，而且功耗比现有产品更低，东芝称待机功耗减少了50%，不足3mW。

在常规型号之外，SED自加密版还支持TCG Opal 2.01安全规范，这个更适合商业市场。

东芝的XG5系列M.2硬盘已经开始小批量向OEM厂商出样，消费级产品的上市时间、价格还未知，大家可以先关注小超哥（id：9501417）微信，因为东芝也会参加这次的台北电脑展，大家可以让小超哥去东芝展台了解更多详情。

在3D NAND闪存方面，三星是最早量产也是产能最大的供应商，进度遥遥领先东芝、美光、SK Hynix、Intel等公司。不过东芝作为NAND技术的发明人，在技术路线上也有独到之处，他们跟闪迪联合开发了BiCS技术的3D NAND闪存，目前已经发展了三代，不过第一代HiCS跟三星初代V-NAND闪存一样并没有量产，目前生产的是第二代48层堆栈的BiCS 3D闪存，下一代就是64堆栈的3D NAND闪存。

东芝及合作伙伴西数（闪迪被西数收购了）早前已经宣布过了64层BiCS技术的3D NAND闪存了，TLC类型，核心容量达到了512Gb（64GB），比目前的NAND闪存密度提高了65%，可以轻松制造出TB级别SSD硬盘。

东芝预计展示的产品会是XG系列NVMe硬盘，跟OCZ之前推出的消费级RD400系列很相似，不过东芝的XG系列主要面向OEM市场，他们也没有公布二者之间到底有什么区别。

东芝已经在4月份出样了64层堆栈的3D NAND闪存，预计下半年就会大规模量产。有了这种超大容量的3D NAND，SSD容量可以轻松达到1TB、2TB甚至4TB，智能手机达到512GB甚至1TB也有希望了。大家猜一下哪款手机会首先用上512GB闪存？下半年的iPhone 8会不会来个太上皇版的512GB型号？对于这个问题，大家可以加小超哥（ID：9501417）微信，告诉他你们的猜测，我们来验证下下半年的iPhone 8会不会有这个奇迹。

Digitimes援引业界消息称NAND闪存正在从2D NAND向3D NAND转换，三星、美光、东芝都已经发布了64层堆栈的3D NAND闪存，SK Hynix则首发了72层堆栈的3D NAND闪存。原文表示今年下半年3D NAND闪存产能就会实质性增长，预计到Q4季度就能超过2D NAND闪存。

不过主要厂商的3D NAND闪存良率还不够稳定，此外厂商把产能转向3D NAND闪存也导致2D NAND闪存产能受影响，所以今年全球NAND闪存供应依然会吃紧，好在下半年的闪存短缺情况会有所缓解。

三星是目前3D NAND闪存良率最高的供应商，预计今年5月到6月份期间就会大幅提升3D NAND闪存产能。此前我们也报道过三星在韩国平泽市建设了全球最大的半导体工厂，主要就是生产3D NAND闪存的，预计7月份就能量产3D NAND闪存了。有关这座全球最大半导体工厂的情况可以关注小超哥（ID：18680462854），咨询他会有更详细的结果。

与此同时，预计其他厂商的3D NAND良率也会有实质性提升，2017年下半年出货量会明显增加，比如说美光，今年下半年就会量产64层堆栈的3D NAND闪存。

高启全被称为台湾存储芯片之父，他之前担任过台湾知名DRAM芯片公司华亚科董事长及南亚总裁，去年被求贤若渴的紫光公司挖走担任全球副总，主管紫光旗下的存储芯片业务，今年1月份又担任了长江存储科技的执行副董，研发中国国产DRAM的消息就是他对外公布的。

根据Digitimes报道，长江存储已经组建了500多人的研发队伍，正在开发自己的DRAM制造技术。至于国产DRAM内存到底是什么技术水平，原文报道称很可能直接进入20/18nm工艺——如果是真的，那么这个技术水平确实很先进了，虽然三星两年前就量产20nm工艺了，不过美光、SK Hynix公司今年才会完成制程转换，而18nm目前就只有三星一家大规模量产，其他两家还在准备中。

除了自己研发之外，长江存储也欢迎国际合作，高启全称长江存储对与美光合作依然感兴趣，这会是双赢合作。长江存储将是美光最佳合作伙伴，与长江存储合作将进一步扩大美光与韩国公司的竞争力——美光公司最早就是紫光公司在存储芯片领域的合作目标，但限于美国的政策，紫光不论是收购股份还是双方投资合作都存在不确定性，现在来看紫光对美光的合作一直感兴趣，可惜美光方面是没法轻易接牌的。

根据高启全所说，长江存储2017年内将会出样32层堆栈的3D NAND闪存，此外还在开发更先进的64层堆栈产品，他指出NAND方面长江存储只比主要NAND供应商落后一代技术。

长江存储将在中国武汉、南京建设两座晶圆厂，每家晶圆厂的产能都达到了每月30万片12英寸晶圆。

高启全指出在技术成熟之前长江存储科技研发的产品并不会进入生产阶段，而且长江存储无意破坏存储市场的价格——也就是说长江存储不打算走中国厂商的老路，那就是通过价格战去抢占市场。

清华紫光持有长江存储科技51%的股份，其他股份在中国大基金、湖北集成电路投资基金及湖北科技投资基金手里。

从2D NAND平面闪存到3D NAND闪存的升级中，三星、东芝/西数、SK Hynix及IMFT（美光/Intel）的3D NAND技术路线各不相同，堆栈层数也不一样，比如三星V-NAND闪存首发是24层堆栈，量产型是32层堆栈，今年内也会有64层堆栈的，东芝/西数的BiCS闪存首发就是48层堆栈，不过下一代也是64层堆栈，前不久西数、东芝分别宣布了64层堆栈的512Gb闪存。

Intel和美光的3D NAND闪存来的最晚，首发也是32层堆栈，年内也会升级到64层，不过这两家在3D NAND闪存上还握有3D XPoint这个王牌，Intel、美光迟早都会把重心转向这个次世代3D NAND闪存上去的。

SK Hynix去年4月份才发布了36层堆栈的128Gb 3D闪存，去年11月份又量产了48层堆栈的256Gb闪存，5个月后的今天又宣布了72层堆栈的3D NAND闪存，进度还是蛮快的，也有助于SK Hynix在3D NAND闪存上追赶三星、东芝等老朋友。

根据SK Hynix官方资料，72堆栈的3D NAND闪存相比48层堆栈的3D NAND闪存提升了30%的生产效率，内部运行速度提升了两倍，读写速度提升20%。

不过从容量这方面来看，72层堆栈的3D NAND闪存还是256Gb，而且还是TLC类型的，容量上相比目前48层堆栈的3D NAND并没有提升，SK Hynix提升的主要是效率及性能，而东芝、西数及三星都已经寻求更大容量的512Gb核心3D NAND闪存量产了。

按照SK Hynix的说法，72层堆栈的3D NAND闪存将在今年下半年开始量产，而512Gb核心容量的72层堆栈应该也会在规划中了，就看SK Hynix何时宣布了。想提前知道何时发布，可以问下小超哥weixn：9501417（长按复制），他会有个大概预估时间告诉你的，假如你对3D闪存上有什么专业问题，更可以找小超哥咨询~

威刚Ultimare SU700有120GB、240GB、480GB、960GB四个容量，主控是比较罕见的Maxiotek的方案，也就是原来的JMicron的存储主控部门，具体哪个主控并没有说明，应该是MK8115，搭配3D TLC闪存（具体哪家也没说），支持SLC Caching技术，SSD的最大连续读写速度可达560/520 MB/s。

这款产品支持Agile ECC纠错机制、虚拟还原(V.P.R.，Virtual Parity Recovery)技术、频率调节(Frequency Control)功能与AES 256加密，960GB的TBW为560TB，质保期为三年，具体价格与上市时间待定，届时留意小超哥weixn：9501417（长按复制）可最先知道~

长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，随后该公司被紫光公司收购，变成了长江存储科技（英文简称为TMTC），武汉投资项目一期工程就是生产3D NAND闪存。

国产3D NAND闪存的起点还不算低，目前研究的是32层堆栈的3D NAND闪存，前不久长江存储CEO杨士宁宣称国产3D闪存各项指标已经达到了预期要求。该款存储器芯片由长江存储与（中科院）微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

3D NAND完成实验室研发只是一小步，后续的大规模量产才是关键。Digitimes报道称长江存储科技CEO杨士宁表示3D闪存工厂的生产装备将在2018年Q1季度完成安装，2019年则会完全量产。该公司的目标是在2020年时技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平。

杨士宁表示了NAND闪存市场需求正在被云计算、智能终端所推动，同时中国市场也具有极大的发展潜力。

不论是DRAM内存还是NAND闪存市场，目前都被极少数厂商所统治，杨士宁表示长江存储科技希望打破少数公司对市场的垄断，该公司进入市场将为业界带来良性竞争。

中国市场消耗了全球55%的存储芯片产能，杨士宁称在强大的市场需求及中国政府的财政支持下，长江存储科技公司将增强对现有几家存储芯片公司的竞争力。

要想获得长久的成功，拥有自己的核心是技术也是非常关键的，长江存储科技公司目前就在这么做。杨士宁称收购或者战略投资也是该公司实现增长的另一个选择。其他第一手还未出新闻的科技资讯，可以在小超哥朋友圈（微信：9501417）提前获知。

紫光集团收购新芯公司之后，在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地已经不是新闻了，这两年来时常见诸媒体报道。Digitimes也报道称湖北武汉市（原文打错成了河北省）的工厂占地面积13公顷，近日已经开工，预计2018年正式量产3D NAND闪存。

不过武汉只是紫光存储芯片布局的一部分，2017年在四川成都、江苏南京还有两个大计划，投资超过460亿美元，早前我们报道过前联电CEO孙世伟加盟紫光担任副总，他负责的就是成都晶圆厂，投资超过1200亿人民币。

武汉的240亿美元加上成都、南京460亿美元的投资，紫光建设三大存储芯片基地的投资将超过700亿美元，人民币接近5000亿元，放眼全球也是大手笔投资了，以致于美国都在政府顾问报告中指出中国发展半导体产业将降低美国企业竞争力，甚至影响美国国家安全。

除了存储芯片之外，紫光集团还在寻求进入逻辑IC芯片制造领域，也就是说存储芯片针对的是三星、美光、东芝这些公司，而逻辑芯片制造则是针对Intel、TSMC、三星LSI等公司了。

M.2版本的Ultimate SU800基本上和2.5寸SATA版的一样，同样有128GB、256GB、512GB和1TB四种容量，采用慧荣SM2258主控，搭配3D TLC闪存，支持SLC Cache，最大连续读写速度为560/520 MB/s（128GB的连续写入速度只有300MB/s），最大连续读写IOPS为90,000/80,000。

威刚Ultimate SU800 M.2版享受三年质保，上市时间和具体价格未知，价格应该不会太高。