相比之下，三星和美光使用的是TC NCF技术，需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。这个过程涉及2-3个步骤，而MR-RUF技术可以在不需要清洗的情况下一步完成整个过程。根据SK海力士的说法，MR-RUF的导热系数大约是TC NCF的两倍，显著影响了生产速度和产量。从目前的市场占有率来看，SK海力士的说法似乎非常有说服力。

传闻JEDEC固态存储协会可能会放宽HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度放宽至775微米，这意味着存储器制造商可以在现有的键合技术中实现16层堆叠，无需转向新的混合键合技术。

SK海力士透露，在未来的芯片堆叠中，将消除凸块，并使用特殊材料填充和连接芯片。这种材料类似于液体或胶水，将提供散热和芯片保护，从而实现更薄的整体芯片堆栈。SK海力士非常地乐观，认为混合键合技术有可能在不超过775微米的情况下实现20层以上的堆叠，不需要转向新的工艺。

SK海力士采用1cnm工艺的DRAM有5层极紫外线（EUV）层，其中一层将采用MOR技术绘制。如果SK海力士最终决定这么做，那么将是MOR光刻胶首次应用于DRAM量产工艺。三星也有同样的考虑，计划在1cnm DRAM引入Inpria MOR光刻胶，不过SK海力士在量产时间表上领先于三星。

其实早在2022年，SK海力士就与三星进行了合作，研究MOR技术。在SK海力士看来，金属氧化物抗蚀剂将有助于提高未来DRAM性能的性能，而且还能降低成本。光刻胶在芯片生产的光刻过程中使用，会对光发生化学反应，这种特性被用来在晶圆上绘制电路图案。

据了解，SK海力士将加快英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量产后能够迅速进入市场，第一时间供应给亚马逊和微软等主要客户。三星计划今年底量产1cnm DRAM产品，在12月之前获得客户验证。

据Wccftech报道，为了将HBM4E的性能提升到一个新的水平，SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。现阶段这只是一个概念，为了实现这一目标，SK海力士已开始着手半导体设计工作，比如打算将存储控制器安装在HBM结构的基础芯片上。

SK海力士希望通过新计划，为多用途HBM解决方案奠定基础。虽然暂时无法判断这种偏离业界传统的做法会对高性能计算市场产生多大影响，但是性能提升基本是可以确定的。这与HBM技术的封装结构有很大关系，由于采用单一的单元，不仅可以确保更快的信号传输速度，而且结构间隙将大大减少，从而提升功率效率。

现在的HBM市场比以往任何时候都要激烈，SK海力士面临着更大的竞争压力。与台积电的结盟大大增强了SK海力士在HBM产品上的开发实力，最大限度地确保领先于三星和美光等竞争对手，并推动着HBM产业的持续创新。

据AnandTech报道，台积电在近日举办的2024欧洲技术研讨会上表示，将采用N5和N12FFC+工艺制造基础裸片，为HBM4提供前所未有的性能和能源效率。台积电称，正在与主要的HBM内存合作伙伴联手，在先进制程上实现HBM4的全堆栈集成，其中N12FFC+工艺可以在满足性能要求下具备成本优势，N5工艺则可以在更低功耗下达到HBM4预期的速度。

N5是目前最先进的制程工艺之一，用于制造最好的CPU和GPU，现在用到存储器上属于一件大事，比起之前传言中采用的N7工艺更为先进。利用N5工艺，可以将更多的逻辑和功能封装到HBM4的基础裸片里，并实现非常精细的互连间距，这对于逻辑芯片上的直接键合至关重要，从而提高人工智能（AI）和高性能（HPC）所需的内存性能。N12FFC+工艺源自台积电非常成熟的16nm FinFET技术，制造的HBM4基础裸片可用于构建12层及16层堆栈，分别提供48GB和64GB的容量，比起N5工艺更具性价比。

此外，台积电还在优化CoWoS-L和CoWoS-R封装技术，以支持HBM4集成。按照SK海力士和台积电的计划，HBM4预计在2026年投产。

虽然距离HBM4投产还有两年的时间，不过SK海力士已经在加速推进第七代HBM产品的开发工作。据etnews报道，SK海力士HBM先进技术团队负责人Kim Kwi-wook在近日举行的“IMW 2024”活动上分享了下一代HBM的发展方向，表示当前HBM技术已达到新的水平，同时代际更迭周期也在加快，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年。

行业对于高带宽存储器的高需求迫使SK海力士将HBM项目提速，预计首批12层堆叠的HBM4最快会在明年下半年到来，到2026年还会有16层堆叠的产品，不但会利用MR-MUF技术，同时还会往更为定制化的方向发展，而HBM4E最早会在2026年出现。这是SK海力士首次提及HBM4E，确认了新标准的存在，传闻带宽将是上一代产品的1.4倍。

SK海力士表示，继HBM在内的超高性能DRAM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场。ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高性能并专为端侧AI手机进行优化，与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降的情况会有大幅改善，从而延长了产品的使用寿命。

ZUFS按数据的各自特性来区分管理智能手机应用程序生成的数据。与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同，ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区（Zone）存储，提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。SK海力士称，与现有UFS相比，ZUFS在长期使用环境下手机应用程序的运行时间会有45%的改善，且存储读写性能下降方面带来了4倍以上的改善效果，产品使用寿命也相应地得到了约40%的提升。

目前SK海力士已向客户提供初期试用品，还与客户协作开发出符合JEDEC标准的4.0产品，并计划今年第三季度开始量产，搭载于全球手机制造商的端侧AI手机。

财报显示，2024财年第一季度的收入为12.4296万亿韩元（约合90.32亿美元/人民币656.28亿元），同比/环比增长114/10%；营业利润为2.886万亿韩元（约合20.97亿美元/人民币152.38亿元），同比扭亏为盈，环比增长734%；净利润为1.917万亿韩元（约合13.93亿美元/人民币101.03亿元），同比和环比均实现了扭亏为盈。同时营业利润率为23%，净利润率为15%。

展望未来，SK海力士认为面向AI的存储器需求正在不断增长，普通DRAM产品需求也将从下半年起有所恢复，因此今年半导体存储器市场将呈现稳定的增长趋势。由于HBM等高端产品与普通DRAM产品相比需要利用更大的产能，随着前者产量增加，后者的供应将会相对减少。除了3月已经开始生产供应的HBM3E外，年内将推出1β (b) nm（第五代10nm级别）的32Gb DDR5 DRAM产品。

另外由于eSSD销量增加及价格上升，NAND闪存成功实现扭亏为盈。SK海力士为了维持业绩改善的趋势，将推进产品优化工作，比如子公司Solidigm的四层单元（QLC）高容量eSSD产品为中心着重提高产品销售。同时SK海力士还将通过适时推出用于AI PC的第五代PCIe cSSD，并以最佳产品线应对市场需求。

此外，SK海力士今年的投资规模与年初的原计划相比会有所提升，以适应客户需求的增长趋势。

随着人工智能时代的到来，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。SK海力士预计HBM的年均增长率将达到60%以上，以面向服务器的高容量DDR5模块为主的普通DRAM产品需求也将持续增加。在此趋势下，要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。

SK海力士的董事会已经通过决议，将建设在韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并决定投资约5.3万亿韩元（约合人民币279.84亿元）建设厂房。SK海力士打算加快新工厂的建设工程速度，将于本月末开工，计划于2025年11月竣工并开始量产。在这段时间里，SK海力士将依次进行设备投资，计划超过20万亿韩元（约合人民币1056亿元）进一步扩充产能。

此前SK海力士决定在位于韩国京畿道中部的龙仁市建设新的半导体生产园区，其中包括四座独立的晶圆厂，目前正在做开工前的准备工作。该园区首座晶圆厂计划在2027年完工，在此之前，清州M15X厂将承担生产新一代DRAM产品的任务。

据The Elec报道，SK海力士打算选择台积电的7nm工艺，用于生产HBM4所需要的基础裸片（Base Die），这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过硅通孔（TSV）技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。

SK海力士包括HBM3E（第五代HBM产品）在内的HBM产品，都是基于自身制程工艺制造了基础裸片，但HBM4选择台积电的先进逻辑工艺，以便增加更多的功能。双方还计划将SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，做进一步的协力优化工作，以应相关客户对HBM产品的要求。

此外，SK海力士还计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（Customized）HBM产品。根据SK海力士的安排，2026年将实现HBM4的批量生产。

今年1月，SK海力士开始量产第五代HBM产品，也就是8层堆叠的HBM3E，使其在竞争中处于优势位置。三星则计划今年上半年，带来8层堆叠的HBM3E。不过三星在12层堆叠的HBM3E上扳回一城，于今年2月率先宣布开发成功，暂时处于领先位置，并计划今年晚些时候量产，并开始向英伟达供货。反观SK海力士，目前其12层堆叠的HBM3E刚刚向英伟达交付样品，比起三星稍微落后了一些。

至于第六代HBM产品，即HBM4，三星和SK海力士的竞争就更激烈了。三星的HBM4计划明年亮相，2026年开始进入批量生产，将提供8/12/16层堆叠的产品。SK海力士同样计划在2026年实现HBM4的批量生产，为此还与台积电（TSMC）展开合作，利用全球第一晶圆代工厂的先进技术。当然，三星也有自己的优势，是唯一拥有完整生产、代工、封装流程的半导体企业，具备为客户提供可定制化HBM解决方案的能力。

三星和SK海力士的竞争还扩展到了DRAM领域，前者近期推出了速率为10.7 Gbps的LPDDR5X，超过了SK海力士去年速率为9.6 Gbps的LPDDR5T。三星还计划今年底量产第六代10nm级别的DRAM，明年生产第七代10nm级别的DRAM。SK海力士则计划在今年第三季度量产第六代10nm级别的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士凭借更先进的工艺，以及更早取得英特尔新平台的验证，通过新款DDR5内存获得不少收益。

此外，随着人工智能应用的扩大，在存储器上加入计算功能也是未来的发展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示过相关的产品。

SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”

据了解，SK海力士和台积电首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片（Base Die）进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过硅通孔（TSV）技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。

SK海力士包括HBM3E（第五代HBM产品）在内的HBM产品，都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但HBM4开始会采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺，以便增加更多的功能。SK海力士和台积电将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，以应相关客户对HBM产品的要求。

此外，SK海力士还计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（Customized）HBM产品。

据Business Korea报道，三星和SK海力士将得益于SSD产品的价格持续上涨，NAND闪存业务有望在2024年第一季度再次实现盈利，结束连续亏损的局面。根据TrendForce上个月发布的2023年第四季度NAND闪存市场报告，显示三星是市场占有率最高的厂商，达到了36.6%，其次是SK海力士的21.6%，第三名是西部数据的14.5%。

更值得关注的是，除了SSD，现在HDD的价格也在不断上涨。虽然HDD比起SSD速度更慢、发热量更高、噪音也更大，但是在相同容量下，价格会更便宜，而且发生故障时更容易恢复数据，在部分细分市场会更受欢迎。HDD的价格上涨说明了这次存储产品的价格上涨，与整个下游产业链有密切的关系，同时人工智能（AI）的蓬勃发展影响供需关系不仅仅是与计算相关的芯片。

与DRAM业务恢复的速度相比，三星和SK海力士的NAND闪存业务反弹的速度较慢，两大巨头都希望通过提高SSD产品的价格，以尽早让整个存储器业务恢复到盈利的状态，为营收做出更大的贡献。

据Business Korea报道，有业内人士透露，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产，这将领先于竞争对手三星。相比于现在的1βnm工艺产品，1cnm工艺在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

SK海力士将加快英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量产后能够迅速进入市场，第一时间供应给亚马逊和微软等主要客户。SK海力士去年正是把握了1βnm DDR5 DRAM抢先通过验证及上市的机会，获得了相当部分的数据中心DDR5内存产品的市场份额，一定程度上弥补了存储器市场低迷造成的损失。

三星上个月在美国硅谷举行的“Memcon 2024”全球半导体大会上表示，计划今年底量产1cnm DRAM产品，12月前获得客户验证。

自去年人工智能市场快速发展后，HBM等超高性能存储器的需求剧增，半导体先进封装也变得更加重要。作为HBM市场上掌握主动权的厂商，SK海力士为了加强技术领导力，考虑到大量美国科技客户的需求，决定在当地投资先进后端工艺领域，并寻找最合适的地点，并积极推进先进后端工艺方面的技术研究。

经过评估多处候选地点，SK海力士最终选择在美国印第安纳州为投资地。一方面是当地政府积极地招商引资政策，另一方面该地区拥有丰富的半导体生产所需的制造基础设施，还有着以半导体等先进研究而闻名的普渡大学等科研学术单位。

此外，SK海力士还将推动在韩国的投资项目，以120万亿韩元建设的龙仁半导体集群目前正在进行用地在建工程，计划明年3月开工建造首座工厂，并于2027年初完工。SK海力士还打算建造“迷你工厂”，这是为了验证半导体材料、零部件、设备等，具备300毫米晶圆工艺设备的研究设施，以加强半导体生态系统建设。