福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华集成电路，JHICC)是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台湾联华电子开展技术合作，投资56.5亿美元，在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。

在DRAM内存研发上面，晋华是委托台湾公司联电开发的，联电在台湾招募相关人才时从华亚科（已经被美光全资收购）等公司挖人，因此与美光公司产生了冲突，美光指责联电窃取商业机密，侵犯专利权等等，随后打起了官司，联电也在大陆起诉了美光，福州法院去年发布禁售令，将美光旗下的SSD及内存产品禁售，虽然实际上并没有影响美光产品在中国市场上的销售。

此后美国政府部门也加入了对联电及晋华的制裁行列，去年10月底先是美国商务部制裁晋华、联电，理由是晋华生产的DRAM内存芯片有严重风险，会威胁到为美国军方提供芯片的美国公司，被美国列入制裁名单之后，任何美国公司都将被限制向晋华集团出口产品、技术及软件，除非得到许可，理论上依然有可能出口，但分析认为这种许可申请普遍都会被驳回。

随后美国司法部也宣布起诉这两家公司，还有三名前美光公司员工，理由是这两家公司涉嫌窃取美国芯片厂商美光的知识产权及商业机密，该市场价值1000亿美元，给美光造成的损失将近90亿美元。

联电及晋华方面也发表了声明，否认侵犯美光的专利权，并且会积极应诉。

今天晋华集团也发表了新的公告，将向美国商务部最终用户审查委员会提交信函，声明公司准备递交正式申诉，要求移出美国商务部实体清单。为更充分了解和解决美商务部的顾虑，信函同时也要求美商务部提供其最终用户审查委员会做出将晋华列入实体清单决定所依据的文件材料。

在接下来的几个月中，晋华希望澄清公司并不存在危害美国国家安全的风险，并说明公司始终一以贯之地遵守美国法律。

英特尔和美光的合作开发NAND历史非常悠久，早在2005年，两家联合成立一家Intel-Micron Flash Technologies公司（IMFT），专门就是制造NAND闪存。直到2015年搞了个大新闻，研发出全新的的3D XPoint技术闪存，当初宣传的可是闪存速度及耐用性是目前NAND闪存的1000倍，容量密度则是NAND闪存的10倍。

目前双方的3D XPoint闪存主要是在美国犹他州的工厂生产，双方将继续通力合作完成第二代3D XPoint技术开发，最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会分道扬镳，各自开发基于3D XPoint技术的第三代产品。

双方分手之后要各自组建独立的研发团队，英特尔去年9月份宣布在美国新墨西哥州奥兰珠市的工厂新增100多个岗位，主要就是3D XPoint闪存技术研发的。在此之前，英特尔已经在中国大连投资55亿美元建设了3D NAND闪存生产厂，去年9月份也正式开始量产。

对于NAND闪存及3D XPoing生产，双方此前就已经谈妥，在英特尔自己的3D XPoint工厂建成之前，IMFT公司还会继续给英特尔供应存储芯片，所以分手之后双方各自的存储业务都不会受到影响。

美光公司今天宣布行权收购IMFT公司，美光将支付给英特尔公司15亿美元的现金，同时承担IMFT公司大约10亿美元的债务，而交易完成时间要看英特尔的选择，在未来6个月到12个月内完成。

集邦科技旗下的DRAMeXchange上周末发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

根据他们的报告，去年韩国厂商开始带头削减资本支出，NAND闪存市场总体资本支出减少了10%，不过依然没有阻止供需失衡情况。2019年美国厂商也会削减资本支出，全年NAND闪存资本支出预计为220亿美元，比去年减少2%。

受此调整影响，虽然去年底各厂商就量产了92/96层堆栈的3D NAND闪存，不过到了2019年底这类闪存的产能占比也只有32%，超过50%的依然是64/72层堆栈的3D NAND闪存，预计今年的位容量增长只有38%，低于去年的45%增长。

在这样的情况下，今年的NAND闪存价格还会继续走跌，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了2019年DRAM内存市场研究报告，以下是集邦科技的报告正文：

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，2018年第四季DRAM合约价格较前一季大幅修正约10%后，2019年由于PC、服务器与智能手机等终端产品需求疲软，因此DRAM主要供应商纷纷放缓新增产能的脚步，以期减缓价格跌势。DRAMeXchange指出，与实际位元生产量最相关的指标为各供应商的资本支出计划，而2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元，年减约10%，为近年来最保守的投资水位。

其中，两家韩系厂商最先宣布将放缓2019年投资计划。市占最大的三星半导体2019年DRAM投资总金额约在80亿美元，主要用在先进制程(1Ynm)的持续转进以及新产品的开发。投片计划是三星近年来最保守的一次，目前决议终止平泽厂(Line18)扩产计划，将使2019年位元成长达到历年新低，约在20%水位。

市占第二名的SK海力士2019年DRAM投资金额也降低到约55亿美元，主要用以持续转进新制程与提升良率为主。但由于中国无锡新厂才刚落成，因此该厂全年仍有约30-40K产能提升，根据DRAMeXchange计算，SK海力士2019年位元成长约21%，稍微高过三星。

而市占第三的美光半导体，近日才宣布下修2019年资本支出至约30亿美元，并且将2019年的生产位元成长目标由原先的近20%下修至15%水位，以期改善库存持续升高的状况。而美光半导体目前不论是在瑞晶(台湾美光存储器)、华亚科(台湾美光晶圆科技)、原Elpida广岛厂等都没有扩产计划，2019年投片水平维持在每个月350K的水平，而位元成长将仅来自1Ynm的持续转进。DRAMeXchange认为，美光因为成本结构与两大韩系厂相较偏弱，因此对于承受价格持续下跌的空间较小，才会有较大动作的反应。在连续两年供给位元成长都仅有15%的情况下，美光市占持续被压缩。

供应商放缓新增产能、避免削价竞争，以维持获利空间

从三大厂商下修2019年资本支出的营运方向可以看出，在寡占市场中由于没有新进竞争者的威胁，各供应商选择透过调整产出，来避免削价竞争。从获利表现来看，三星与SK海力士生产DRAM的毛利仍有近8成，美光也有6成以上的水平，因此各厂在获利仍丰厚的情况下，选择保守看待2019年的生产展望，也是较为合理的作法。

至于需求端，2019年第一季受到连假以及淡季效应的影响，将会是最为疲弱的季度，而且目前也没有迹象显示第二季之后需求会有所改善。在中美贸易摩擦持续延烧的大前提下，市场仍充满不确定性，基于上述供需预测，DRAM价格仍将逐季修正，2019年第一季价格下修幅度约为15%，第二季预期将收敛至10%以内，而下半年除非需求明显改善，否则价格仍将维持约5%的季度下修。

BX500刚发布的时候只有120GB、240GB和480GB三个容量，随着闪存与SSD价格的下滑，对大容量SSD需求的人也就越来越多，BX500现在新增了960GB的容量，以满足玩家们的需求，960GB的性能和480GB的是一样的，都是540MB/s的连续读取和500MB/s连续写入，不过由于容量翻了一倍所以SLC Cache空间肯定更大，质保依旧是3年，240TBW，价格未知，不过从现在BX500的价格来看这个960GB的肯定很便宜。

不过最近有曝光说日本地区发现BX500有用S厂的降级片，暂时还不清楚是不是个例，国内也没有类似的报告，但说真的BX500这个价格也不要太介意这些东西，毕竟一分钱一分货，只是原厂这样玩让人有点不爽而已。

美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的状况，美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据，2019年他们预测DRAM内存产量增加15%，低于此前预测的20%增长，而NAND闪存预计增长35%，也低于之前预计的35-40%增长率。

美光明年的资本支出大概是95亿美元，削减了12.5亿美元，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能，在这些领域美光认为需求量低于预期。

对于明年存储市场的情况，普遍的预期是2019年上半年会继续跌，花旗集团分析师Peter Lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的，预计2019年下半年市场需求就会升温。

在美光之前，三星、SK Hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少NAND闪存、DRAM内存产能，三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。

美光的财年始于每年的9月，2019财年Q1财年是今年9-11月，横跨日历年的Q3及Q4季度，这个财季营收为79.13亿美元，去年同期为68亿美元，上个财季营收为84.4亿美元，同比增长了16%，环比下滑了6%，而美光的DRAM、NAND闪存芯片供应量还在增长，由此也可以看到闪存、内存降价对美光的一些负面影响。

对利润的影响更大一些，Q1季度美光毛利率为58.3%，比去年同期的55.1%增长3.2个百分点，不过与上季度61%的毛利率下滑2.7个百分点，净利润为32.9亿美元，去年同期为26.78亿美元，上个季度为43.25亿美元，同比增长23%，但是环比下滑24%。

受此影响，美光也下调了Q2财季的营收预期到57-63亿美元之间，低于市场预期的71.8亿美元，并且大砍2019年的资本支出，而美光的悲观看法也影响了市场，导致美光股价大跌。

根据TheRegister网站报道，这名英特尔前员工名为Doyle River，今年9月份他接受了美光的职位，在跳槽前几天他试图访问并复制被英特尔内部标记为“绝密”的技术资料，这些技术资料与如何用3D XPoint做成Optane傲腾产品线有关，据英特尔所说，这些技术机密就连美光都不知道。（PS：虽然美光也参与了3D XPoint研发，但是在商业化方面英特尔的傲腾远比美光自己的3D XPoint产品上市更早）

英特尔的安全系统阻止了这名员工复制技术资料，但他还是成功复制了一系列人事档案资料到U盘中，他还怂恿在英特尔工作的前同事加入他的冒险之旅。

英特尔在事发之后发邮件通知Doyle River，要求他归还U盘，但是Doyle River没有回应英特尔的要求，没有退回设备，反而将机密信息交给了美光公司。

根据讼诉文件所说，当U盘被最终交给调查人员时，他们发现里面的数据已经被清除，Doyle River的律师表示这名工程师将数据上传到他自己的家用电脑，后来就擦掉了数据。

英特尔要求一名中立的调查员检查Doyle River的PC里还有什么东西，以及U盘里的数据是什么时候删除的，美光那里是获得了还是没获得这些数据。英特尔设定了11月16日的最后期限，不过一直没有回应，所以选择了起诉。

根据美光方面的评论，他们知道了这起诉讼，但是美光公司并不是英特尔起诉的目标。

英特尔发言人则评论说——英特尔投入了数十亿美元用于开发一些在世界上都是最具竞争力、对行业内取得成功至关重要的知识产权，我们对现任及离职员工充满信心及信任，但英特尔有义务保护我们自己的知识产权及其他专有信息，我们将毫不犹豫采取行动防止它们被盗用。

在全球DRAM内存领域，三星、SK Hynix及美光三大巨头占据了95%以上的份额，他们之外的第四到第六大DRAM厂商分别是台湾的南亚科、Winbond华邦科技及Powerchip力晶，力晶的全球分为为0.3%。钜亨网报道称， 在TSIA年会上，力晶创始人、执行长黄崇仁也谈到了内存领域的几个热点事情，比如美光与中国晋华公司之间的专利纠纷等。

对于美光、晋华的专利纠纷，黄崇仁表示他所了解的美光，就是要确保中国不能发展DRAM，且可确定的是，在此事件过后，中国将不会再有任何DRAM 厂能崛起，Flash（闪存）则另当别论。

至于明年的DRAM内存走势，黄崇仁认为福建晋华案之前，全球DRAM大厂怕晋华产能加入内存市场后，市场产能过剩，因此三星、SK海力士与美光三大厂，多决定不扩充产能，在明年市场没有太多新产能开出下，下半年可预期将会「很厉害」，DRAM又会开始缺货。

根据集邦科技旗下的DRAMeXchange的Q3季度全球DRAM内存市场报告，2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%，再创历史新高，不过第三季价格涨幅基本已接近持平，因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

克利夫兰研究公司分析师Chandler Converse日前也发表报告，预测Q4季度DRAM内存价格环比会降低8%到10%，明年Q1季度还会继续保持价格下滑的趋势。

根据他的报告，美光公司在11月份是最具进攻性的内存芯片公司，2018年大部分时间里美光的DRAM芯片价格都是最低的，三星公司则是匹配价格以作出反应，目的是维持该公司的市场份额，SK Hynix公司的DRAM价格则是最高的。

美光、三星及SK Hynix三家公司在DRAM内存市场采取不同的策略也跟他们的市场地位有关，三星公司是第一大DRAM公司，市场份额45.5%，SK Hynix公司则以29.1%的份额位列第二，美光公司Q3季度份额21.1%，相对前两家公司来说美光有抢市场的需要。

在内存涨价这个问题上，中国的发改委、商务部等主管部门已经多次约谈过相关厂商。今年早些时候，中国的发改委与三星电子正签署谅解备忘录，双方将在半导体行业加深合作，三星会扩大在中国的投资。

中国商务部反垄断调查局5月24日与美光代表举行了会议，对过去几个季度中内存芯片价格持续上涨表示担忧，涨价导致中国PC OEM公司面临很大的零部件压力。除了涨价事宜之外，这次约谈还有美光公司涉嫌不正当竞争有关，此前曾干扰上游供应商向中国福建晋华集团提供设备。

三星、SK Hynix及美光是全球主要的DRAM芯片供应商，三家占据了全球95%的份额，三星一家就占到全球的46%份额。2017财年三家公司半导体业务在中国营收依次分别为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间，因此从2016年开始计算的话，三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

不过三星、美光及SK Hynix的反垄断调查最终结果还没有出炉，国新办今天上午就中国《反垄断法》实施十周年有关情况及展望举行新闻发布会。国家市场监督管理总局反垄断局局长吴振国在发布会上表示，根据举报，今年5月底市场监管总局对三星、海力士、镁光公司涉嫌实施垄断行为立案开展调查，从三家公司调查获取了大量证据资料。随后，又对数十家下游企业开展了调查取证，并对取得的证据资料进行梳理和甄别。

他表示，立案调查以来，三家公司的相关负责人也到市场监管总局反垄断局就案件进行沟通，反垄断局也向三家公司通报了案件的调查情况。目前，对这三家公司的反垄断调查已经取得了重要进展，下一步反垄断局将对案件的相关市场界定、市场支配地位的认定、市场支配地位的行为定性等方面开展研究论证，依法做好案件调查处理工作，维护市场公平竞争，保护消费者利益。

联电本月初发布的声明强调会严肃对待美方指控，全力应对这场诉讼。日前发布的第二份官方声明则更像是一个科普，因为联电要让不了解情况的外界明白一件事——外界存在错误的印象，认为联电没有DRAM技术，而美光是全球知名的DRAM技术公司，所以爆出专利侵权诉讼时很多人一边倒地相信没有DRAM技术的联电盗窃美光技术是成立的，而联电这个声明的目的就是向外界说明自己是有DRAM技术开发经验的。

联电公司详细声明如下：

联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14奈米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32奈米，在联华电子的计画启动当时，已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向台湾政府正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。

美光表示其12Gb LPPDR4X颗粒是目前业界容量最高的，速度也是最快的——速度快倒是真的，不过美光的12Gb LPDDR4X内存并不是容量最大的了，三星早在4月份就宣布了16Gb核心容量的LPDDR4X内存了，频率同样是4266Mbps。

12Gb颗粒意味着单核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB内存容量，8核心则是12GB内存了，明年差不多就会有12GB内存的高端智能手机了。

除了频率高达4266Mbps之外，美光表示其LPDDR4X内存还有能耗上的优势，功耗降低了10%。

美光的12Gb LPDDR4X内存使用了1Y nm工艺，官方表示是10nm级别的，这种说法经常会误导一些媒体同行，以为是10nm工艺的，它其实是1X nm之后第二代10nm级工艺，1X nm大概是16-19nm，1Y应该是14-16nm工艺，之所以这么模糊是因为20nm节点之后DRAM工艺也面临各种困难，线宽指标没有明确的数值了，所以用XYZ代替，在这之后还有1α及1β工艺。

美光5210 ION是一款企业级的SATA硬盘，2.5寸7mm的盘型，容量有1.92TB、3.84TB和7.68TB三种，使用美光64层堆叠3D QLC闪存，各个容量的连续读取速度均是540MB/s，写入速度分别为260MB/s、350 MB/s和360MB/s，4K随机读写性能分别为70k/13k、83k/6.5k、90k/4.5k IOPS。

它的主要目标是取代现在服务器上的万转硬盘，与之相比5210 ION的随机读取速度提高了175倍，随机写入速度提高了30倍，连续传输速度提升了两倍，每TB能效比提升了三倍，更重要的是体积小巧，2.5英寸的盘型可以让用户把两倍数量的5210 ION SSD装到一个2U机架里面，更节约空间，非常适合密集型工作负载，比如人工智能、机械学习、深度学习和实时分析、大数据、对象存储、商业智能、NoSQL数据库和媒体流等。

美光以TensorFlow负载为例，用5210 ION的时候TFRecord创建，摄取和图像分类速度是万转硬盘的八倍，100,000个图片2.3TB的数据在硬盘平台上耗时15.17，而美光5210 ION只用了1.87小时就完成了任务。

美光5210 ION目前已经大规模生产，已经向全球的分销商、经销商和系统制作商供货，具体价格没有说，不过美光表示可以与万转硬盘相媲美。

本周一美国商务部宣布制裁中国福建晋华集团，理由是涉嫌危害美国国家安全，晋华被列入出口管制实体清单之后将无法获得美国公司的半导体设备、技术及软件等。

周四美国司法部也宣布起诉联电及晋华公司，还有三名前美光公司员工，理由是这两家公司涉嫌窃取美国芯片厂商美光的知识产权及商业机密，该市场价值1000亿美元，给美光造成的损失将近90亿美元。

此事之后，美光方面也发表了声明，美光科技高级副总裁、法律总顾问兼董事会秘书Joel Poppen表示“我们对美国司法部决定就窃取我们知识产权的刑事犯罪行为提起诉讼表示欣慰。”

联电公司周五也发布了官方声明，指出美国检察官办公室发提起的诉讼与美光之前在加州发起的诉讼内容相同。联电对美国检察官办公室在没有事先通知并给与联电机会讨论此事的情况下就发起诉讼一事表示遗憾。

联电表示，联电是一家行业领先的台湾半导体公司，过去四十年来一直致力于开发先进集成电路及其他技术，投入了大量资源研究及开发新技术，并拥有数千项有效技术专利组合。联电将严肃对待任何可能违反法律的的指控，并全力以赴回应这次的指控。

昨晚涉事的另一方中国福建晋华集成电路有限公司也发表了声明，具体如下：

福建省晋华集成电路有限公司声明：

晋华公司始终坚定走自主研发路线，不断加大投入，开展内存存储器关联产品的研发、制造，取得了一批专利成果。晋华公司始终重视知识产权保护工作，不存在窃取其他公司技术的行为。

美光公司把晋华的发展视为威胁，采取各种手段阻止、破坏晋华的发展。美方将晋华列入美出口管制“实体清单”，并采取司法措施。对此，晋华公司坚决维护企业的合法权益，要求对方立即停止错误做法，便利和促进双方企业开展正常的贸易与合作。