西数去年底就宣布量产96层堆栈的3D NAND闪存了，这次推出的iNAND EU511嵌入式闪存也是96层堆栈的，虽然西数官方没有公布具体类型，但不太可能是QLC闪存，应该还是3D TLC，因为今年1月底东芝也发布了UFS 3.0闪存，就是96层堆栈3D TLC闪存，两家公司推新一代产品的步骤是差不多的。

西数的EU511闪存支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规范，而UFS 3.0单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。

容量方面，iNAND EU511闪存最低64GB，最高512GB，而且凭借西数的SmartSLC Generation 6技术使得读取速度达到了750MB/s，官方表示连续读取性能是前代的两倍。

这样的性能也让新一代UFS 3.0闪存为即将到来的5G时代做好准备，西部数据公司Devices事业部高级总监Oded Sagee表示：“智能手机正在日益成为万物互联的中心。高速5G网络旨在实现比之前快100倍的数据传输速度，并在更多的设备上部署人工智能(AI)。人工智能（AI）由集成式神经处理单元(NPU)所驱动，允许我们访问大数据和快速数据，这将改变我们使用智能手机的方式。面对实时边缘计算的高需求，严格的数据捕获标准和访问模式将成为5G设备必须满足的基本条件。有了UFS 3.0嵌入式闪存盘，西部数据可以让用户按需、无缝、即时地体验5G应用的新威力。”

西数iNAND EU511闪存目前已经开始给OEM客户出样。

以下是集邦科技的报告详细内容：

全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，部分服务器厂商因2018年第四季总体经济不确定性提高，决定延后进货或取消订单，与此同时，上游供应链也进行产线调整，备货力道偏弱，加上苹果新机出货不如预期以及整体换机需求转趋疲弱的影响，除此之外，Intel CPU缺货也冲击笔记本电脑需求低于预期。尽管平均搭载容量持续提升，但整体位元出货量表现低于原本预期，使得2018年第四季品牌商营收较前一季度衰退16.8%。回顾2018年全年的销售表现，尽管各项产品价格逐季走跌，但全年位元出货量较2017年成长逾40%，整体营收仍持续成长，并来到历年来新高点，约632亿美元水平，较2017年成长10.9%。2019年第一季进入传统淡季，使得需求更趋疲弱。服务器、智能手机厂商持续调整库存，NAND Flash市场的位元出货量将较上一季衰退，而主要供货商为维持市场占有率，则透过更优惠价格来吸引客户，因此NAND Flash整体营收受到销售单价与需求双双下滑的拖累，将持续走跌。

三星电子(Samsung)2018年第四季基于智能手机、服务器以及笔记本电脑需求皆显疲弱的影响，三星位元出货较上季衰退逾7%。而在销售单价部分，由于三星先前仍维持较高单价，第四季面临销售压力出现价格补跌，使得平均销售单价大跌逾20%，第四季营收为43.04亿美元，季减28.9% 。

从制程及产能分析，受到NAND Flash市场整体供过于求的影响，2019年的投产目标以维持现有3D NAND产能为主，2D NAND产能则将依需求下修而进行缩减，但仍维持平泽二厂的投产规划。同时，尽管第五代3D NAND制程良率已近成熟，但为避免过度增加产出，三星将放缓新制程的扩产计划。

SK海力士(SK Hynix)

因智能手机出货需求不如预期，尤其受到旗舰级智能手机销售疲软以及OEM着重去化库存影响，SK海力士2018年第四季位元出货仅成长约10%，加上服务器SSD采购趋向保守等需求面因素影响，加深平均销售单价的季跌幅达21%，第四季NAND Flash营收为15.87亿美元，季衰退13.4%。

以产能规划而言，SK海力士2019年仍维持新厂M15的扩产规划，并同时推出96层新架构的3D NAND产品以改善成本及竞争力，其中搭载96层结构的UFS 2.1产品预计在第二季正式量产，但预期产品推出前期仍需一段时间导入，2019年的出货主力仍将以72层架构为主。

东芝记忆体(Toshiba)

由于苹果新机出货不如预期以及笔记本电脑出货受CPU缺货影响，东芝记忆体2018年第四季位元出货仅能勉强持平，而各类产品合约价明显走跌，致使平均销售单价较前一季走跌约15%，整体营收来到27.31亿美元，季减14.7%。

从产能方面观察，东芝在四日市市的产能受到西数要求减产，这导致该区域整体产能下降。2019年的扩产集中于Fab 6，但仍以64层为主要生产制程。

西数(Western Digital)

受到中美贸易战影响，服务器及智能手机需求不如预期影响，尽管在SSD出货容量成长有不错表现，2018年第四季的位元出货量仅较上季成长5%，然而平均销售单价在需求疲弱以及各类产品价格跌势加剧影响下，较前季下跌18%，导致整体营收下滑至21.73亿美元，季减14.2%。

从产能规划来看，西数2019年上半年将维持节制产能与资本支出的策略，预期2019年的位元产出将较原本计划降低10~15%。值得注意的是，西数是否能够顺利参与东芝岩手县新厂的投资，这将是能否保障其未来竞争力的关键。

美光(Micron)

受惠于SATA接口Enterprise SSD销售维持高档以及UFS、UMCP顺利导入主要智能手机客户，美光在第四季仍能保持超过10%以上位元成长。但受到NAND Flash跌价走势影响，美光平均销售单价也有逾10%的下滑，因此营收衰退2.2%，来到21.79亿美元。

在产能方面，2019年美光主要的位元增长将来自制程转进，持续扩大96层产品的导入，并将整体位元增长维持与产业水平接近。

英特尔(Intel)

英特尔在服务器SSD领导地位的优势，加上第四季借由客户转采更高容量配置以及更多64层产品的帮助下，仍能维持位元出货量成长逾15%，但受到第四季服务器SSD合约价下跌影响，英特尔的平均销售单价下跌10~20%，整体营收略微成长至11.07亿美元，季增2.4%。

在产能与制程方面，英特尔规划在今年内将大连厂二期产能扩张至满载，另一方面持续进行96层产品的转进，预计在2019年下半年可以达到近30%的产出比重。

Digitimes收到业内人士的消息，1TB SSD在2018年前的售价约为10000新台币（约2200元人民币），而到了2018年初则只需要8000新台币，而现在只需要4000到5000新台币，甚至有可能会跌至3000新台币（约660元人民币），造成价格暴跌的原因是原料NAND闪存产能的增加导致的价格大幅下滑。

尽管现在用SSD的电脑越来越多，但由于PC和手机市场的需求不足，导致2019年第一季度SSD的价格会继续下降超过15%。

另外内存市场方面，现在主流容量的8GB和4GB DDR4内存模组价格已经下滑到60美元和30美元左右，并且在今年第一季度进一步下降，而且在内存生产商将面临巨大的库存压力，但终端市场大多保持观望态度，所以这库存并不太好清。

另外由于受到Intel处理器缺货的影响，很多游戏玩家转向AMD平台，这使得AMD在游戏市场的份额增长到17%，拉动了DDR4-3200内存模块的出货量，而3600-4000MHz频率的DDR4内存的出货量则有所放缓。

去年这个时候，JEDEC组织正式发布UFS 3.0标准（JESD220D），一道被发布的还有更新后的接口标准（UFSHCI）：JESD223D，以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1（JESD220-2A。过去UFS 2.0采用的HS-Gear2（G2）规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps，双通道双向理论带宽就是5.8Gabps；随后UFS 2.1采用的HS-Gear3（G3）理论带宽翻倍达到11.6Gbps，而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。

东芝的UFS 3.0闪存采用了自家BiCS 4技术的96层堆栈3D TLC闪存，标准11.5x13mm封装，容量128GB、256GB及512GB，不过后两种容量暂时还没出样，现在只有128GB版出样给客户了。

性能方面，东芝没有透露具体的指标，只说比UFS 2.1闪存的读写速度提升了70%、80%，找了下东芝官网，东芝此前发布的了64层堆栈的UFS 2.1闪存的读取速度可达900MB/s，写入为180MB/s，按照这个数据来看UFS 3.0的读取速度约为1.5GB/s，写入速度324MB/s，这个速度跟一些低端NVMe硬盘的性能有得一拼了，毕竟手机UFS闪存在DDR缓存方面会吃亏一些，不然写入速度也可以更好看一些。

至于哪款手机能够首发UFS 3.0闪存，MWC 2019展会上就能见分晓了。

集邦科技旗下的DRAMeXchange上周末发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

根据他们的报告，去年韩国厂商开始带头削减资本支出，NAND闪存市场总体资本支出减少了10%，不过依然没有阻止供需失衡情况。2019年美国厂商也会削减资本支出，全年NAND闪存资本支出预计为220亿美元，比去年减少2%。

受此调整影响，虽然去年底各厂商就量产了92/96层堆栈的3D NAND闪存，不过到了2019年底这类闪存的产能占比也只有32%，超过50%的依然是64/72层堆栈的3D NAND闪存，预计今年的位容量增长只有38%，低于去年的45%增长。

在这样的情况下，今年的NAND闪存价格还会继续走跌，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。

三星即将在明年1月份发布2018年Q4季度财报，在此之前市场已经在打预防针了，因为本季度中内存芯片也开始跌价了，势必会影响三星的赚钱能力。来自韩国分析师的分析认为三星今年Q4季度的营收为63.8万亿韩元，同比下滑3.2%，而下滑的主要原因就是内存以及NAND芯片跌价，其他风险还有中美贸易战等等，不过这些因素都没有存储芯片跌价影响大。

与营收微幅下滑不同，三星Q4季度的运营利润下滑更多，预期本季运营利润只有13.9万亿韩元，约合123亿美元，与去年同期的15.1万亿韩元相比会下滑7.6%。

尽管Q4季度会因为存储芯片跌价而导致利润下滑，但是放眼全年的话，由于前三季度DRAM内存芯片价格一直维持强势，三星此前在DRAM芯片上维持了70%以上的毛利率，所以折抵下来全年盈利依然会创新高，预计今年运营利润高达62.6万亿韩元，约合557.3亿美元或者3844亿人民币，而去年全年的运营利润也不过53.6万亿韩元，约合3291亿人民币，相比之下，今年的盈利依然会大涨16.8%。

美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的状况，美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据，2019年他们预测DRAM内存产量增加15%，低于此前预测的20%增长，而NAND闪存预计增长35%，也低于之前预计的35-40%增长率。

美光明年的资本支出大概是95亿美元，削减了12.5亿美元，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能，在这些领域美光认为需求量低于预期。

对于明年存储市场的情况，普遍的预期是2019年上半年会继续跌，花旗集团分析师Peter Lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的，预计2019年下半年市场需求就会升温。

在美光之前，三星、SK Hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少NAND闪存、DRAM内存产能，三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发表报告称，今年NAND Flash供应商在3D NAND 64层堆栈产品良率稳定，产出位元高于厂商原先预期，今年下半年旺季时，又遭遇中美贸易冲突开始升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素迭加，导致旺季不旺。

DRAMeXchange指出，在eMMC／UFS方面，年底前中国大陆智能手机手机厂商着重去化库存及调整生产规模，因此加深今年第四季合约价跌幅，而库存去化将持续至2019年第一季，导致eMMC／UFS合约价将在明年第一季恐呈现近10％跌幅。

至于SSD硬盘，2019年第一季笔记本电脑出货量预期将较今年第四季下跌逾15％，尽管PC SSD搭载率与容量持续上升，但仍难遏止总位元需求与价格双双走弱，消费级SSD合约价料将续跌近10％。

由于服务器需求成长维持不坠，导致企业用SSD市场成为各供应商兵家必争之地，使得价格竞争更加激烈，加上第一季服务器需求同样受淡季影响，预期第一季的跌幅将高于10％。

至于模组厂的市场情况，DRAMeXchange认为，今年下半年以来NAND Flash价格不断走低，模组厂为避免跌价损失，模组厂有必须出清当月进货的压力，甚至是透过销售次级产品以维持获利，此举反而进一步打乱市场价格行情，相比龙头厂商的获利水准，模组厂今年的获利表现明显下滑。

对于2019年的存储芯片市场，市场观察人士对明年存储芯片降价的看法是一致的，问题是降幅多少的，之前的预测称明年Q1季度DRAM内存芯片降价10-15%，NAND闪存也会降10-15%价格。花旗集团分析师Peter Lee日前发表报告，维持了对美光公司的中性评级，但下调了美光公司2019财年的营收及盈利预期，理由就是明年的存储芯片会大降价。

根据他的报告，由于产能过剩、库存增加，花旗预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

早前WSTS世界半导体贸易统计组织就下调了2019年全球半导体产值，之前预期明年市场产值可达5020亿美元，同比增长5.2%，但是最新数据下调到了4901亿美元，同比今年只会增长2.6%左右。

明年半导体产值下降主要还是因为内存会降价，去年内存产业同比大涨了61.5%，今年的增速也有33.2%，但是2019年会下跌0.3%，所以内存行业在超级周期之后将会进入负增长阶段。

集邦科技旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出，随着64/72层3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加，第三季NAND Flash供给稳定成长。但需求面受中美贸易摩擦影响，加上英特尔CPU缺货、苹果新机销售不如预期等因素，导致旺季不旺。自年初以来的供给过剩仍难以消弭，NAND Flash各类产品合约价仍走跌，第三季平均价格跌幅达10-15%。

展望第四季，DRAMeXchange分析师叶茂盛指出，由于欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存，以及中美贸易摩擦持续进行，导致需求持续走弱，预计第四季仍维持供过于求态势，各类产品合约价跌幅加剧。而为了维持毛利及减少库存，预期Enterprise SSD及Wafer市场的价格竞争将更为激烈。

三星电子(Samsung)

尽管整体需求不如预期，但借由在旗舰智能手机市场独占鳌头，以及服务器、PC SSD出货仍持续成长的帮助下，三星第三季的位元出货量仍呈现逾20%的季成长。但由于价格持续走弱，平均单价有近15%的下跌，第三季营收为60.5亿美元，较上季成长2.1%。从制程及产能分析，三星已在消费级SSD产品中采用第五代制程，并将逐步导入到PC SSD、移动设备UFS中。不过，由于供过于求状况显著，三星将放缓转进第五代制程的进度，2019年位元产出仍以64/72层制程为主。SK海力士(SK Hynix)

在智能手机出货量以及SSD销售成长带动下，SK海力士位元出货量于第三季仍能维持19%的季成长，然而需求不如预期，无法扭转供过于求局面，致使平均销售单价下跌10%，整体营收来到18.3亿美元，较上季成长6.0%。就产品组合而言，SK海力士销售重心为移动设备市场。随着苹果新机上市以及中国厂商陆续推出全面屏概念手机，并搭载较高规格产品，128GB以上容量出货表现亮眼，并带动位元出货稳健成长。此外，在72层NAND Flash产品的帮助之下，本季SSD出货占比亦超过20%。东芝记忆体(Toshiba)

同样受惠于苹果新机与中国智能手机厂商持续提升容量，东芝记忆体在第三季仍保持逾20%的季度位元出货成长，然而在终端产品售价持续走跌的影响下，平均销售单价有近15%的跌幅，使得整体营收最终为32.0亿美元，较上季成长1.9%。从制程及产能方面观察，目前64层3D NAND产出占比已逾70%，3D NAND投片占比也正式突破50%，2019年扩产重点将放在Fab 6的新增产能，但考虑到市场供过于求与制程成熟度，将先以64层为主要投产制程。西数(Western Digital)

西数在第三季除继续维持在零售与渠道市场业务的优势以外，高容量UFS产品开始正式出货，并透过优惠价格在SSD市场取得不错表现，季度位元出货量成长28%，但受各类产品价格走跌影响，平均销售单价下滑16%，整体营收来到25.34亿美元，较上季成长7.0%。从产能规划来看，为应对NAND Flash在2018年全年供过于求的状况，西数预计将节制产能及资本支出，因此上半年的扩产以及转产96层3D NAND的进度将略为放缓。美光(Micron)

受惠于智能手机旺季效应以及SSD销售成长，美光第三季位元出货成长逾25%。美光在渠道市场仍握有重要影响力，在渠道市场价格跌势偏深的状况下，本季的平均销售单价下滑近15%，整体营收达22.3亿美元，较上季成长14.7%。就产品组合而言，美光致力于减少渠道市场出货占比，发展重心放在新的NVMe及QLC架构SSD产品，以应对高效能及高容量市场需求。而在移动设备市场，美光则持续与中国供应商合作，在第三季已正式量产出货。英特尔(Intel)

透过长期耕耘服务器SSD市场，英特尔第三季位元出货量仍有逾10%的成长。尽管目前NAND Flash市场跌势加剧，英特尔平均销售单价仅下跌逾9%，整体营收维持在10.8亿美元，与上一季约略持平。然而获利表现是今年最佳的一季，主要因为第三季出货的SSD有超过半数搭载64层3D NAND元件，进一步压低了成本。在产能方面，大连厂第二期的产能预计于2019年上半年达成满载。此外，英特尔与美光在非易失性存储领域的合作关系告一段落。但英特尔至少到2020年仍能自IMFT厂获得需要的3D XPoint产出。后续除自行开发第三代产品以外，也正在研究自行生产的规划。

Digitimes日前报道了创见Transcend公司董事长Peter Shu对全球内存及闪存行业的一些看法。据他所说，DRAM内存及NAND闪存行业都出现了供过于求的局面，未来一年甚至更长时间内DRAM内存价格仍有一定的下降空间。

与NAND闪存领域相比，DRAM领域的供应商数量较少，因此DRAM内存价格相比NAND闪存芯片会呈现出更温和的降价趋势。

Peter Shu称NAND闪存厂商已经大大提升了3D NAND闪存的工艺良率，进一步导致了NAND闪存芯片价格下行的压力，不过NAND价格下跌有助于加速PC产品中采用SSD硬盘的速度。

由于3D TLC闪存的产量大增，Peter Shu表示512GB的固态硬盘的价格更接近主流硬盘驱动器的价格，预计一年后进一步降至45到50美元之间，他认为SSD固态硬盘正在取代HDD硬盘成为PC中的主流存储设备。

Peter Shu还谈到了中国大陆公司进军内存及闪存市场的影响，他认为国内的DRAM初创公司在未来两三年内都不太可能在全球DRAM市场上占有一席之地，不过在NAND领域里，总部在中国的初创公司在2019到2020年间将成为行业的一部分。

在谈到中美贸易战的影响时，Peter Shu表示他们已经将所有主要的生产线转移回台湾地区，过去两年中该公司一直在优化台湾地区的生产，并用新的生产设备取代原有产线。

对于创见公司的未来，Peter Shu表示他们的重点将放在工业及其他利基市场而非大众消费市场，预计2019年创见公司的的主要增长动力会来自嵌入式设备领域。

根据SK Hynix之前公布的信息，所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

韩联社报道称，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比，4D NAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。

根据官方所说，4D NAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。