据TomsHardware报道，美光的232层3D NAND闪存芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。CuA架构叠加新技术可以大大减小1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸，这有助于降低成本，使得美光可以更积极地为搭载这些芯片的产品定价，或者提高产品的利润。

美光的科技和产品执行副总裁Scott DeBoer表示，正在和第三方主控芯片的开发人员密切合作，不但提供对232层3D NAND闪存芯片的支持，而且能确保对主控芯片与闪存芯片之间的优化，这一直是美光垂直产品整合的重要组成部分，以便搭建围绕数据中心和客户端固态硬盘产品。

美光暂时还没有公布232层3D NAND闪存芯片的具体参数，不过似乎会比现有的3D NAND闪存性能要更好一些，以适应下一代支持PCIe 5.0固态硬盘的需求。美光还表示，新款芯片的能耗也更低一些，这可能与其注重移动领域的应用有关。

由于量产时间是在2022年年末，预计搭载232层3D NAND闪存芯片的产品将会在2023年出现。

美光表示，在GDDR6X中对PAM4信号传输技术方面的创新使其比其他GDDR6产品更加节能。21 Gbps并不是目前16Gb GDDR6X的终点，美光计划下一步将推出速率为24 Gbps的GDDR6X模块，为未来需要海量数据处理的应用程序做好了准备。

24 Gbps GDDR6X解决方案预期带宽：

512位解决方案 - 1.5 TB/s

384位解决方案 - 1.1 TB/s

320位解决方案 - 960 GB/s

256位解决方案 - 768 GB/s

192位解决方案 - 576 GB/s

128位解决方案 - 384 GB/s

96位解决方案 - 276 GB/s

64位解决方案 - 192 GB/s

美光高性能内存和网络副总裁兼总经理Mark Montierth表示：

“美光是GDDR6X的行业领导者，这有助于为最严苛的应用带来更强的性能。美光再次站在了存储器创新的前沿，为当今最高带宽解决方案提供了动力，并采用先进的工艺和接口技术，在图形性能方面继续处于领先的位置。”

16Gb GDDR6X的加入是美光超带宽解决方案产品组合（包括GDDR6和HBM2E）增长的一个重要里程碑，这些解决方案共同构成了业界最全面的高性能、高带宽产品组合，旨在为数据密集型应用程序提供数据。

Sanjay Mehrotra指出，亚洲国家在过去的几年里，都在扶持自己的半导体和芯片产业。此外，汽车行业对芯片产业的影响非常大，占据了重要的位置。随着汽车越来越智能化，变得像“装上轮子的数据中心”，上面需要更多的内存和存储空间。

在关于新冠疫情扩散对半导体行业带来的影响上，Sanjay Mehrotra与AMD首席执行官苏姿丰博士以及英伟达CEO黄仁勋先生的看法是一致的，表示新冠疫情推动了从数据中心到PC再到智能手机的需求。当越来越多的人需要在家远程工作时，会让美光在相当长的一段时间内投资于先进技术，并尽快进入大批量生产阶段，以满足市场不断增长的需求。

Sanjay Mehrotra曾在去年10月份与Fox Business交流过，当时他表示，美光将在未来十年内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发（R&D），包括提高晶圆厂的产能。

这周美国联邦第九巡回上诉法院裁定，针对DRAM芯片制造三巨头的指控缺乏足够可信的证据，因此驳回了起诉。原告提出了多项“证据”，以证明被告的商业行为是事先约定的。不过法院考虑了各项因素，认为更多的是作为一个整体考虑，认为这些指控并不构成原告的主张，需要通过“进一步强化事实”来予以支持。

法院在法庭案件分析里提到，被告的行为“更有可能通过行业中的合法、未经设计的自由市场行为来解释”，而不是通过非法协议。简单来说，就是三星、SK海力士和美光相似的行为，原因在于理性地分析市场后做出了较为一致的决定。这意味着三星、SK海力士和美光躲过了这一次反垄断案，若再次提起，则需要更多额外、过往不曾看见的证据。

三星和SK海力士过去曾因涉嫌操纵价格，被美国司法部罚以巨款。三星在2005年，因涉及限定DRAM价格和妨碍公平竞争的行为被罚3亿美元。SK海力士也因类似的行为在同一年被指控，最后认罪并支付了1.85亿美元的罚款。

今天（2022年3月4日）在上海，美光宣布送样全球首款基于176层垂直集成NAND技术的数据中心固态硬盘(SSD)——美光7450 NVMe SSD。据称美光7450 SSD可实现2毫秒或更低的服务质量(QoS)延迟，提供丰富的存储容量和外形规格，以满足数据中心工作负载的严苛要求。

据了解这款全新数据中心SSD采用了美光NAND技术来实现具备超高效率的设计，包括176层存储单元以及CMOS阵列下(CMOS-under-the-array)技术。7450 SSD集成了美光自有DRAM、内部开发的SoC系统级芯片和相关固件，并支持更强的设备安全功能。

美光7450 SSD提供从400GB到15.36TB的容量范围，其中包括一款领先业界的8TB紧凑型E1.S规格。此外，该款数据中心SSD还提供广泛的外形规格选项，包括U.3、M.2和E1.S三种规格可满足不同的空间、功耗和散热需求。其中业界唯一的U.3规格PCIe 4.0 SSD提供15mm和7mm两种厚度，可供需要2.5英NVMe硬盘的平台灵活选用。

大幅降低延迟是美光7450 SSD的最大亮点，据称美光7450 SSD在普通、混合、随机工作负载下，将通过2毫秒或更低的延迟，实现高达99.9999%的QoS，从而提升多种数据库的性能。

据悉，美光7450 SSD将于4月开始通过代理商向客户发售。

据PCPer报道，美光将结束Ballistix/铂胜品牌内存的生产和销售，不过没有透露具体的原因。此前已有不少英睿达品牌的DDR5内存发售，但至今没有Ballistix/铂胜品牌的同类产品，显然这会是永久性措施。美光表示，未来会专注于客户端好服务器产品使用的DDR5内存，同时扩大英睿达品牌的内存和存储产品系列。

看来美光已经决定，再次改变消费级的销售策略，将重点放在英睿达品牌上。美光是为数不多在消费市场提供高端内存的内存芯片生产商，竞争对手三星和SK海力士都没有进入这个市场，对于高端PC玩家而言，又少了一个选择。英睿达的产品大多都遵循JEDEC的标准，并不那么符合发烧玩家的选购需求。

美光相关负责人表示，仍专注于发展旗下的NVMe和便携式SSD产品，为PC和游戏主机玩家提供相关存储解决方案，比如P5 Plus PCIe 4.0 NVMe SSD、Crucial P2 PCIe 3.0 NVMe SSD、X6和X8便携式SSD。此外，英睿达符合JEDEC标准的DDR5内存，可以提供高速性能，将比之前Ballistix/铂胜品牌内存更加好。

美光的176层闪存是在2020年底投产的，但此前都没有QLC闪存的消息，与美光自家的96层QLC闪存相比，新的176层QLC可提供额外33%的I/O吞吐量并降低24%的读取延迟。美光2400系列SSD提供512GB、1TB和2TB三种容量，不同容量的性能有所不同，性能最好的2TB连续读取速度是4500MB/s，连续写入速度4000MB/s，随机读写分别为650K和700K IOPS，耐久度方面，是每512GB写入量150TBW，美光表示较上一代QLC SSD相比，待机功耗降低了50%。

美光2400系列SSD有M.2 2230、M.2 2242和M.2 2280三种规格，也是全球唯一一款提供2TB的M.2 2230 SSD的方案，目前这些SSD已经向OEM厂家出货，面向高性价比的台式机和笔记本市场，不知道美光的消费级品牌Crucial会不会跟进推出对应产品。

过去是由主板负责内存模块的电压调节，但是到了DDR5时代，PMIC和VRM模块已转移到了内存上。这使得内存的电压调节变得容易，并简化了配备多条内存插槽的服务器主板的设计和生产。内存模块的转变增加了其复杂性，需要DRAM厂商购买PMIC和VRM组件，不幸的是，恰巧遇上了半导体行业的严重短缺。

目前瑞萨电子、IDT、Montage Technologies和德州仪器都有出售用于DDR5内存的PMIC，不过似乎只有瑞萨电子的产品得到了英特尔的验证，甚至三星自己的DDR5内存里也有部分产品使用的是瑞萨电子的PMIC。随着明年初英特尔全面铺开第12代酷睿系列处理器，DDR5内存的采购量将不可避免地增加。

这种情况并非没有先兆，在一个多月前就有报道指出，随着新冠疫情的扩散，影响了物流的运输，加上供应链的短缺愈加严重，DRAM的生产也逐渐受到了影响。由于缺乏足够的PMIC，使得DDR5内存在生产上出现了困难，不但价格变得更高，交货周期也可能会更长。

美光在一个多月前就宣布，计划在未来十年内，在全球范围内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发（R&D），包括提高晶圆厂的产能，以满足内存不断增长的需求。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra曾表示，内存处于半导体制造的前沿，为从功能丰富的5G智能手机到支持人工智能的云计算提供动力。美光在DRAM和NAND技术方面处于领先地位，希望将存储器创新扩展到下一个十年，并为客户提供差异化产品。

目前内存及存储芯片在全球半导体市场中的份额约为30%，而且在不断增长，美光的投资有助于进一步的技术研发。

虽然美光和联华电子都没有透露这笔款项的具体金额，但美光最终不得不在其财务报告中披露，结果仍然是无法隐瞒。美国司法部在2018年11月对联华电子提起诉讼，内容为非法获取了生产DRAM所需的关键知识产权和商业机密（具体指的就是工艺技术），不过在2020年10月双方达成了一项6000万美元的和解协议。

早在2017年，美光就因相关问题对联电提起诉讼，表示对方从其中国台湾的子公司挖走工程师，并要求提供美光制造技术的规格和其他特性。随后联华电子也做出了反击，指控美光侵犯了其授权的专利。随着美国司法部和联华电子达成和解，美光和联华电子之间持续四年的知识产权纠纷也得到了解决的机会。

联华电子是目前世界第三大晶圆代工厂，仅次于台积电（TSMC）和三星，拥有十二座晶圆厂，其中四座为12英寸晶圆厂、七座为8英寸晶圆厂、以及一座6英寸晶圆厂。美光则是世界主要半导体储存及影像产品制造商之一，存储技术也处于领先位置，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器等。

据了解，部分AMD Radeon RX 6000系列显卡已开始采用美光的GDDR6显存，早期主要是搭载Radeon RX 6600/RX 6700系列GPU的产品，预计在2021年第四季度内就会开始出货。

美光是在2019年开始采用1z工艺生产DRAM颗粒，是其第三代10nm级工艺，按一般半导体工艺理解，大概是在12-14nm级别。目前美光已开始使用1α工艺节点生产，首款采用新工艺的8Gb DDR4芯片在今年已经批量出货了。与很多竞争对手不同，美光至少在未来几年内都不会使用EUV光刻技术来生产存储芯片，但仍需要增加存储芯片的密度以降低单位成本，因此要通过使用新材料等其他技术手段来缩小DRAM芯片的尺寸。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，内存处于半导体制造的前沿，为从功能丰富的5G智能手机到支持人工智能的云计算提供动力。美光在DRAM和NAND技术方面处于领先地位，希望将存储器创新扩展到下一个十年，并为客户提供差异化产品。

近日有媒体指，美光近期可能会将位于日本广岛的生产基地进行扩建。新建的晶圆厂将会在2024年投入使用，主要生产数据中心所使用的DRAM，预计将创造 2000至3000个就业机会。

不过在现今的制造业里，供应链可能会遍布全球各个地区，使得生产上会有更多不确定性，近期中国台湾、印度和马来西亚等地区新冠疫情变得严重，又为供应和业务前景蒙上了阴影。美光目前在中国台湾的晶圆厂负责生产DRAM芯片，新加坡的晶圆厂负责生产3D NAND芯片，在马来西亚则设有测试、包装和组装的业务，并在印度有研发设施。美光因为马来西亚的新冠疫情变得严重，不得不减少产能，以确保生产的安全。

不同地区的新冠疫情反复似乎只是一个短期的问题，但对芯片的普遍高需求和供应的不确定性足以对未来几个季度的3D NAND和DRAM芯片产生影响。美光表示，半导体行业在未来几个季度几乎无法满足对芯片的需求，预计到2022财年供应仍会持续紧张，使美光处于有史以来最好的位置。

这间位于犹他州Lehi市的3D XPoint闪存芯片厂还拥有一支技术队伍，在先进半导体制造方面有很好的技术和经验。德州仪器将在交易完成后，为该厂所有员工提供机会，并打算在这间晶圆厂部署自己的技术。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：

“我们很高兴与德州仪器达成协议，因为它是一个行业领导者，重视这间晶圆厂的优秀团队，以及该厂提供的技术能力。我们非常感谢Lehi团队对美光的贡献，以及美光与当地社区的合作和参与。”

在今年3月份，美光宣布将停止所有基于3D XPoint技术产品的进一步开发，并为数据中心业务寻求新的解决方案，未来会将重点转移到开发支持Compute Express Link（CXL）标准的内存产品上，计划将3D XPoint技术上的研发成果和资源投入其中。美光相信CXL在计算、内存和存储之间可提供高性能的连接，以满足人工智能和数据分析的工作负载要求。