美光在新加坡现有Fab 10N晶圆厂，每月产能约为14万片等效晶圆，这次投资新建的是Fab 10X晶圆厂，主要生产第二代3D NAND闪存，建成后每月产能还是大约14万片等效晶圆，不过之后就是3D NAND闪存了，因此总产能更大，在未来的几年里可支撑每年bit容量增长40-50%。

此次投资总额约为40亿美元，整个项目要到2017财年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015财年先期投资为5亿美元。

美光的Fab 10X工厂主要是生产第二代的3D NAND闪存，根据Intel之前所说，二代3D NAND闪存最高可以堆叠32层NAND，die核心容量则高达256Gb，这样就能达到1TB容量，如果是TLC闪存，die容量则可以达到384Gb，2mm厚度下就能实现1TB的容量，也就是一张SD卡的大小就有TB+的容量。

美光的3D NAND闪存路线图

在美光的路线图上，平面的16nm工艺之后他们就会100%专注于3D NAND闪存，2015年底首先会在消费级市场推出3D NAND闪存的固态硬盘，不过这个应该是第一代3D NAND的，堆叠层数为16层，比三星的V-NAND略低。

先介绍一下UFS 2.0，其全称为Universal Flash Storage通用闪存，UFS标准最早是高通和东芝合作在2011年发布，采用串行界面，支持全双工运行、同时读写、指令队列等，不过早期版本速度只有300MB/s，更新换代比较快的eMMC一下子就把它超越了。

而去年年初升级到现在的UFS 2.0，性能有了质的飞跃，理论传输速度高达1.2GB/s，随机读取性能为19000IOPS，相比eMMC 5.0快2.7倍，更接近SSD级别，另外随机写入14000IOPS，是TF卡的28倍，而功耗更是降低了50%，4K视频什么的都不是问题。

三星量产的首批产品容量有32GB/64GB/128GB三种容量，采用新的ePoP封装方案，同样可以封装在处理器SoC上。

UFS 2.0将会是接下来旗舰手机的首选存储介质，去年就有说三星下代旗舰手机会采用UFS 2.0闪存，既然现在已经要量产了，接下来的Galaxy S6可能真会用上，估计国内某发烧手机品牌应该也会迅速跟进。

Vertex 460硬盘发布于今年初，它使用的是OCZ自家的Barefoot 3主控，闪存则是东芝19nm Type-C Toggle DDR 2.0 MLC，460本身也可以视作Vertex 450的升级版，后者当时使用的还是美光20nm MLC闪存。

现在Vertex 460又一次升级了，闪存自然还是东芝的（也不可能换别家的了），不过从19nm MLC升级到了目前更主流的A19 MLC闪存，此前OCZ的Arc 100系列已经使用了A19 MLC闪存了，这次升级也是自然而然的事了。

当然，升级A19闪存之后，Vertex 460A的标称性能并没有变化，120GB依然是530、420MB/s读写，240/480GB则是540、525MB/s读写。

目前Vertex 460硬盘的外观

除此之外，Vertex 460A的外观也升级了，现在是黑色的，升级之后色彩显得更活泼了一些。

至于质保，Vertex 460是质保三年，Vertex 460A三年质保时间没变，不过服务升级到了ShieldPlus级别，这是OCZ针对美国和欧洲市场推出的额外服务，不需要经过中间商，用户可以免费邮寄硬盘给OCZ售后。

三星Q3季度NAND营收24.58亿美元，环比增长8.2%，占据了29.7%的份额，相比Q2季度的30.8%份额有所下降，不过排名不变，依然是全球最大的NAND厂商。

东芝当季营收19.4亿美元，环比大涨了23.7%，是几大NAND厂商中涨幅最高的，市场份额也从Q2季度的20.5%提升到了22.6%，虽然还是落后三星，不过差距越来越小了。

与东芝同门的闪迪公司营收16.1亿美元，环比增长6.5%，市场份额18.8%，比Q2季度的19.7%有所下滑。

第四位的是美光，NAND营收10.5亿美元，营收环比增长5.9%，份额12.2%，相比Q2的12.9%也有所下降。

第五名的是SK Hynix，NAND营收8.81亿美元，环比增长了21.7%，市场份额10.3%。

第六位的就是Intel了，营收5.54亿美元，增长了10.1%，市场份额6.5%。

全球6大NAND豪门分数四系，这几年领跑的一直是三星，此前三星投资70亿美元在西安建厂，主要生产3bit MLC（也就是TLC闪存），而且是基于V-NAND技术的。东芝、闪迪共同开发生产，15nm TLC闪存也箭在弦上，明年Q1季度量产。这三家实力最为雄厚，在下一代TLC闪存上还会继续领先。

三星在2013年月份推出了第一代V-NAND闪存，当时是24层堆栈，今年5月份推出了第二代V-NAND闪存，堆栈层数从24提高到32层。前不久发布的新一代850 Pro硬盘使用的就是第二代V-NAND闪存，不过这个还是MLC类型的，制程工艺为40nm，所以可以兼顾性能和可靠性，10年质保。

TLC闪存相比MLC闪存成本更低，三星显然也会极力推动TLC规格（忘了说了，三星官方不提TLC这个字眼，而是叫做3bit MLC，至于原因大家都懂）的V-NAND闪存量产，之前已经确认了，TLC V-NAND闪存也是第二代技术，32层堆栈，单颗核心容量128Gb，不过三星并没有透露TLC V-NAND闪存的工艺水平，如果维持MLC V-NAND的40nm工艺，那么850 Evo的P/E寿命还值得一战。

V-NAND与TLC两种技术都能提升NAND产能，现在双管齐下，三星官方表示与目前10nm级别的平面TLC闪存相比，TLC V-NAND闪存的晶圆常能高1倍。

三星现在已经量产TLC V-NAND闪存，不过850 Evo硬盘何时发布还是未知。

有关MRAM存储技术的背景可以参考我们之前的文章：下一代非易失性存储最强音，MRAM技术解析，Intel、IBM、三星、SK Hynix、高通等公司都在投入研发，不过日本公司在这个领域实力也很强大，除了东芝外，TDK也是重要的参与者，这次他们在日本Ceatec博览会上首次公开了MRAM晶圆，还有实际的性能演示。

TDK的MRAM技术基于STT（Spin-transfer torque，自旋钮转换），技术方案之前就有过了，不过TDK研究的是新方法，它以磁荷存储数据，通过STT效应命名数据状态，在写入数据时可以借此约束电子获得磁场强度变化。

从PCWORLD的报道来看，在展会现场TDK还做了STT MRAM与闪存的性能对比，左侧的是他们研发的STT MRAM平台，右侧的是NOR闪存，MRAM的性能是NOR闪存的7倍多。

目前MRAM技术依然在研发中，TDK通过旗下的Headway公司生产了8英寸的MRMA晶圆（第一张图所示）做测试用，不过Headway公司不具备大规模量产的能力，所以TDK以后还需要一家合作伙伴来帮他们生产MRAM。

在MRAM领域，TDK的主要对手是美国的Everspin公司，2年前他们也推出了ST MRAM芯片，而且是16Mb容量的，读写性能也非常惊人。

不过目前的MRAM技术都是镜中花水中月，理论优势很好，但是技术根本不成熟，而且自身也有天生劣势，距离实用还有很长一段距离的。

NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星电子、东芝/闪迪、SK Hynix及Intel、美光合资的IMFT这四大豪门中，剩下的则由台系半导体厂商等瓜分，挤进NAND市场可不容易。

中芯国际以往发展过130nm到65nm制程的NOR闪存，不过NOR闪存现在属于过时的产品了，转向NAND闪存也是自然而然的事了。中芯国际推出的NAND闪存制程为38nm，与目前主流的20/19nm差了一代，而且东芝、美光新一代的16/15nm制程年底就会量产，所以中芯国际与国际大厂还有一定的差距。

据官网所说，这种NAND制程完全是中芯国际自主研发的，38nm工艺对于降低NAND成本、提高产量来显然不如更先进的25、20nm，不过制程低了也有好处，那就是NAND的可靠性更好，P/E擦写次数更高，只不过现在还不清楚中芯国际的38nm NAND的细节。

对中芯国际来说，38nm NAND其实也是个过渡，官方新闻中也提到了这是他们升级到更先进的2x/1xnm及3D闪存的基础，由此看来新工艺其实也是在研发中了。

首先要明确ATP公司的aMLC方案并不是一种全新的NAND闪存类型，而是一种固件技术，它可以将MLC闪存按照SLC闪存的原理来运作。以MLC闪存为例，每个cell单元中它能储存2bit数据，再算上0、1状态的区别，我们通常说的MLC闪存每单元就可以存储4个状态，而SLC是2个状态，所以写入数据的过程中SLC速度最快，MLC要慢很多。这是NAND闪存的基本操作原理，详情可以参考我们之前的深度解析。

ATP公司的aMLC解决方案是这样的：通过固件，它能把MLC闪存的4种状态改为只使用2种，这样一来MLC闪存就相当于SLC闪存了，获得了与后者相近的性能和可靠性，ATP表示aMLC可将MLC的P/E次数从普通的3000次提升到40000次。

APT公司提供的数据显示aMLC闪存的性能是MLC闪存的3-5倍，可靠性是MLC闪存的13-15倍，数据保存能力是MLC的5倍。

当然，aMLC技术也不是没有代价，由于只使用一半的状态，MLC闪存的容量也会降低到标准的一半，128GB的只能当64GB用，其他容量也是如此。

Computebase网站日前采访了ATP公司的Crystal Chang，双方谈到了aMLC技术的利弊，ATP表示虽然目前已经有SLC闪存，但是SLC闪存的成本太高，开发人员需要在可靠性及性能之前做妥协，aMLC则没有成本问题。

目前其他厂商也有将MLC当作SLC运作的技术，比如闪迪的nCache及三星的TurboWrite技术，不过ATP认为他们的aMLC技术在所有方面都能提供完整的NAND性能优势，这是其他技术比不了的。

此外，aMLC技术是他们独有的的固件，他们会自己推出相应的产品，而不会授权其他厂商使用。

　　SK海力士是全球首家推出16nm NAND闪存的芯片厂商，在6月份的时候就已经开始量产第一版16nm MLC，而现在量产的是芯片尺寸更小的第二版，他们相信新版本更有竞争力。

　　理论上来说，制作工艺越先进，单元的间隔越小，他们之间的干扰会越严重，不过SK海力士表示他们采用了最新的Air-Gap技术，以“真空孔”替代原来在电路之间的绝缘物质。

　　在新版64Gb MLC芯片的规格与耐用性的基础上，SK海力士也成功开发出16nm 128Gb/16GB MLC芯片，这是目前容量密度最大的单片MLC芯片，计划在明年年初开始投产。除此以外，他们也表示将会加快TLC和3D NAND闪存芯片的研发。

　　在企业市场OCZ做得不错，不过在消费级市场上NAND闪存的供应存在问题。按照Ralph Schmitt的说法，和上一季度相比，第一季度通过企业解决方案产生的收入达到了两倍有多，推动了顺序毛利率增长。财政总收入继续下降了约20%，主要归结于缺乏向客户的SSD产品供应NAND闪存。

　　Ralph Schmitt表示他们集中精力于改造公司，将其变得更合理和更有效率。虽然第三财季的最高收入接近1亿美元，不过因为竞争价格和客户价值产品线成本结构的不协调，所以业务方面仍是负毛利。

　　在第三和第四财季，他们会从公司内部以及渠道方面对库存作出重大的调整，让其集中于高增长和更有价值的市场，包括企业级SATA、SAS和PCIe市场。这些措施会令产品组合更合理化，但会压缩利润，收入也会下降。

　　Ralph Schmitt还说基于信用状况，相信闪存的出产能力和价格都是可靠的，尤其是第二季度的表现更能说明这个问题。

　　下一个季度对于公司产品的需求会有增长，但由于现时的财务状况，会有一段要保证供应的困难时期。

　　不过有分析指海力士无锡工厂从事的是测试封装环节生产，火灾只会导致设备和原材料损坏，如果火灾发生在台积电工厂，对于芯片价格的影响就不可相提并论了。

　　据报道，DDR3 2Gb 256Mx8 eTT内存颗粒今日的报价达1.698美元，涨幅为17.84%，DDR3 2Gb 256Mx8 1333 MHz内存颗粒涨幅达19%，DDR3 2Gb 256Mx8 1600MHz规格的涨幅高达19.33%。

火灾现场

　　据美光提供的消息称，目前试产的128Gb MLC NAND闪存主要用在消费级SSD、闪存盘、存储卡、平板电脑、智能手机、超薄移动设备以及云存储数据中心等地方。由于制程上的优势，新的闪存芯片体积更小，因此在同样面积的晶圆上可以生产出更多的成品，目前一块16nm工艺晶圆的总容量可达6TB。

16nm工艺晶圆

　　由于单颗晶圆可以切割出更多的闪存芯片，因此同样容量的16nm工艺闪存在成本上要比20nm级别产品更低，因此新工艺对降低SSD成本会起到促进作用，未来在同样的价格下，玩家可以买到容量更大的SSD产品。

　　目前美光已经开始试产16nm工艺128Gb MLC NAND闪存，主要提供给合作伙伴进行测试，真正的量产要到今年第四季度。同时美光已经着手开发基于16nm闪存的SSD产品，预计会在2014年登场。另外考虑到英特尔和美光在NAND上的紧密合作关系，我们相信英特尔的16nm工艺SSD产品也已经在研发当中，进度上应该与美光大致相同。