24万片DRAM晶圆并不算是一个小数目，这种规模的事故可能涉及多个SK海力士的晶圆厂在数周内生产的产品，或者某个晶圆厂在过去几个月内生产的DRAM，不过对于晶圆厂在不同制造阶段的全面质量控制检测机制，这两种情况几乎都不可能发生。

如果真的有24万片DRAM晶圆出问题，很可能对全球供应和价格产生影响，特别是现阶段个人电脑及其他方面对DRAM的巨大需求，早已处于供不应求的状态。DRAM制造商的库存一般都很低，通常只有三到四周，而PC制造商平均达到十周。根据相关调查机构的数据，2021年第二季度DRAM价格比第一季度上涨了18%-23%，预计第三季度会比第二季度再高3%-8%。

目前制定HBM标准的JEDEC尚未正式发布HBM3标准规范，SK海力士作为HBM的主要推动者，一直致力于下一代HBM的研发工作。据TomsHardware报道，在SK海力士的网站上，HBM3产品显示正在“研发中”，达到了5.2 Gbps的I/O速度，提供665 GB/s的带宽，这两个数值高于HBM2E的3.6 Gbps和460 GB/s，分别提高了44.4%和44.6%。当然这不是SK海力士对于HBM3的最终目标，已经有其他厂商宣布会拓展到7.2 Gbps的I/O速度。

现在超算或FPGA类的设备会使用4-6个HBM2E堆栈，以获得1.84-2.76 TB/s的带宽。如果更换成HBM3，将得到2.66-3.99 TB/s的带宽。在2020年初，SK海力士从Xperi Corp获得了DBI Ultra 2.5D/3D互连技术的授权，专门用于高带宽内存解决方案，支持2.5D、3D整合封装，还能集成不同尺寸和不同工艺制程的IP模块，可用于高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA和SoC。

SK海力士没有透露HBM3的发布日期，预计不会这么快进入消费级市场应用在显卡上。过往AMD在Radeon显卡上使用了HBM作为显存，但是目前仅计划用在CDNA架构的加速卡上，暂时英特尔和英伟达的规划也和AMD类似。

根据统计机构TrendForce的数据，SK海力士和英特尔共占据全球NAND闪存市场份额的20%左右。如果SK海力士在收购以后可以保持这样的市场份额，将成为世界第二或第三大闪存供应商。SK海力士希望这笔交易可以更好地发展自身的闪存业务，使客户、合作伙伴、企业员工和股东都能受益。近期SK海力士官方表示，会继续加大投入研发新技术，同时提高产能，以占据更多的市场份额。

SK海力士和英特尔期望2021年获得所有监管机构的批准，以便于按照时间表推进交易。在得到批准后，SK海力士将向英特尔支付70亿美元，购买包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。预计交易最终会在2025年3月份完成，届时SK海力士会向英特尔支付剩余的20亿美元，购买剩余资产。与此同时，英特尔的工厂会继续正常生产，直到合同最终完成。

图：韩国总统文在寅与政府官员在三星位于京畿道平泽市晶圆厂建筑工地出席活动（来自韩联社）

另一方面，韩国政府宣布了新的税收减免政策，从国家战略高度扶持半导体业的发展。据《韩国先驱报》报道，韩国总统文在寅在出席活动的时候强调，韩国要在芯片制造方面赶超全球，同时概述了韩国在半导体产业的未来计划，表示：

“韩国将实现成为世界顶级集成设备制造商的目标，包括在2030年前成为系统级芯片制造商。基于韩国半导体产业的实力，韩国还将在所有产业的占据竞争优势，在后新冠病毒时代实现新的飞跃。通过私营部门和政府的协作和共同努力，韩国将克服全球供应链的风险浪潮。”

文在寅的讲话围绕的是韩国政府的“K-半导体战略”进行的，该战略计划在2030年前，在韩国国内建立全球最大规模的半导体产业供应链“K-半导体产业带”。

根据韩国政府的新政策，像三星和SK海力士这样的企业，半导体研发和设备投资的税收减免上限最高将提升至40-50%和10-20%。三星副总裁兼设备解决方案事业部负责人金基南在评论芯片行业现状的时候表示：

“即使在韩国一直在存储器市场上处于领先，竞争也变得越来越激烈。整个半导体行业都面临着一个分水岭，现在是制定长期战略和投资计划的时候了。对于内存业务，三星一直保持其无可争议的领导地位，我们将继续以先发制人的战略进行投资，而不是努力保持位置，以扩大永远无法缩小的差距，同时引领整个行业发展。”

三星还介绍了将EUV技术应用在内存模块的计划，通过引入极紫外光刻技术，实现较小的晶体管尺寸。要做到这一点，韩国仍然要依赖荷兰ASML（阿斯麦尔）的设备。目前，ASML已在韩国华城投资，除了建立办事处和开办培训中心，更为关键的是，打算为EUV设备设立一个再制造部门。

出席活动的SK海力士公司代表也阐述了企业的相关计划，并表示：

“我们将投资8英寸晶圆代工业务，以支持国内无晶圆厂（系统半导体设计公司）企业的开发和批量生产，并进军全球市场。我们可以扩大半导体产品的供应范围。”

近期世界各国都将半导体业的发展放在了重要的位置，甚至提升到国家层面的高度，纷纷加大投入，无论在东亚地区、北美地区和欧洲地区，都将其视为未来的主导产业。随着这一系列的动作，将使全球进入芯片军备竞赛，而且未来一段时间内会持续升温。

目前英国竞争与市场管理局已经在官网发布公告，邀请各方对SK海力士收购英特尔NAND闪存业务之间的交易发表意见，希望可以在5月11日之前将这些意见搜集好，届时将开始第一阶段的调查。英国竞争与市场管理局在公告里写道：

“CMA正在考虑该交易是否生效，是否会出现2002年《企业法》规定里的合并情况。如果是，这种情况的产生是否会导致联合王国内任何一个或多个市场的商品或服务的竞争大幅减少。为了协助评估，CMA邀请任何感兴趣的人对交易发表评论。”

根据统计机构TrendForce的数据，SK海力士和英特尔共占据全球NAND闪存市场份额的20%左右。如果SK海力士在收购以后可以保持这样的市场份额，将成为世界第二或第三大闪存供应商。这笔交易使得NAND闪存主要制造商的数量减少到五家，市场竞争会减少，监管机构可能会向SK海力士提出相关要求以批准该笔交易。

SK海力士和英特尔预计世界各地的监管机构将在2021年底之前批准这笔交易，在得到批准后，SK海力士将向英特尔支付70亿美元，购买包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。预计交易最终会在2025年3月份完成，届时SK海力士会向英特尔支付剩余的20亿美元，购买剩余资产。与此同时，英特尔的工厂会继续正常生产，直到合同最终完成。

目前为止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176层堆叠的3D NAND，看起来600层还很遥远，目前他们还只是在研究这种可能性，在达到600层堆叠前还需要解决各种问题。SK海力士致力于确蚀刻技术实现高纵横比，以实现业界所需的高密度技术，此外他们还推出了原子层沉积技术，以进一步改善单元的电荷存储性能，并在需要时把电荷放出，同时开发新的导电材料让电荷在一定程度上保持均匀。除此之外为了解决薄膜应力问题，控制了薄膜的机械应力水平，并优化了单元氧化氮材料。为了应对在有限的高度上堆叠更多电池时发生的电池间干扰现象和电荷损失，SK Hynix开发了隔离电荷陷阱氮化物结构来增强可靠性。为了对应在有限高度内堆叠多层时发生的单元间电荷干扰与电荷损失，SK海力士开发了隔离电荷陷阱氧化物结构，以提高可靠性。

在DRAM方面，SK海力士引入了EUV光刻设备来解决以往DUV光刻的局限性，制程工艺能轻松达到10nm以下，以此来提升生产效率。当然还有问题要解决的，比如为了保持单元电容，他们正试图改善电介质厚度，开发具有高介电常数的新材料，并采用新的单元结构。这些单元互连需要尽可能低的电阻，他们正在寻找新一代电极与绝缘材料，并推出新工艺。

SK海力士的一位官员表示，与16GB的产品相比，他们的18GB LPDDR5有着更大的容量，可通过扩展数据临时存储空间来提高处理速度和图形质量，这款产品的频率是6400Mbps，比现有的5500Mbps LPDDR5快20%，希望通过这款产品，智能手机制作商能够提供性能比上一代更强的产品。

而华硕即将发布的ROG游戏手机5将会是首批使用SK海力士18GB LPDDR5的产品，这款内存已经量产。

根据市场调研机构Omdia的数据，目前LPDDR5内存占整个移动DRAM市场的10%，随着内存的更新换代，到了2023年，这一份额将会增加到50%以上。

尽管本季度移动端的DRAM需求复苏，但由于服务器市场的DRAM和SSD需求减弱，整体半导体存储器价格在本季度转为下行趋势，因此本季度营收和营业利润分别环比下降6%和33%。SK海力士表示除了积极应对市场的不力因素，得益于显示芯片的DRAM需求增长，以及消费性电子产品的DRAM需求扩大，因此尽管服务器市场需求减少，但本季度的DRAM出货量仍有4%的增长。但由于服务器市场及其他部分产品的DRAM价格下降，平均销售价格在本季度环比下降了7%。 NAND闪存方面，移动设备及游戏机使用的SSD销售都有增长，带动NAND闪存出货量季增加9%。由于服务器端的产品价格疲软，平均销售价格在本季度环比下降了10%。 SK海力士预计第四季度移动端市场需求将继续按季节性增加，同时PC市场的需求也会维持强势。

SK海力士首席执行官（CEO）李锡熙（Seok-Hee Lee）参加了季度财报电话会议，对公司收购英特尔NAND内存和存储业务，以及通过环境、社会和企业治理（ESG）管理创造社会价值的计划进行了说明。强调了收购英特尔的NAND闪存和存储业务是为了迅速获得领先的SSD技术，并实现产品多样化，通过此次收购希望在DRAM和NAND闪存之间建立平衡的业务结构。同时SK海力士通过加快存储设备向SSD的转型，为地球减少二氧化碳排放做出贡献。

其实从去年开始Intel就有从NAND业务抽身的迹象，2019年年初，Intel就把和美光的合资厂IMFT手头上的股份卖给了美光，而现在Intel的一些消费级SSD上面用的闪存也不是自家的而是SK海力士的。

Intel公司的运营目标是利润率达到60%，但NAND闪存受市场供求影响价格波动极大，而闪存的研发生产也需要大量资金，很难保障利润率，出售NAND闪存业务是他们寻求降低风险的选择。不过说真的，Intel的闪存业务还是挺赚钱的，2020年上半年Intel非易失性存储器解决方案事业部创下了28亿美元的营收，营业利润6亿美元。

Intel计划将本次交易获得的资金投入具备长期成长潜力的重点业务，包括AI人工智能、5G网络与智能、自动驾驶相关边缘设备等。

SK海力士的HBM2E内存具有3.6Gbps的等效频率，配合上1024-bit的位宽，它能够实现超过460GB/s（3.6Gbps x 1024-bit / 8 = 460.8GB/s）的传输带宽。三星目前的HBM2E默认跑在3.2Gbps的等效频率下，所以SK海力士的HBM2E在默认情况下能够提供更高的带宽，不过三星的HBM2E还可以跑更高的频率。如果像是NVIDIA A100加速卡那样使用六个堆叠的话，那么这组HBM2E内存能够提供高达2.7TB/s的带宽。SK海力士的HBM2E每组堆叠可达到16GB的容量，每颗DRAM芯片的容量较HBM2时代翻倍，为16Gb（2GB）。

对于市场来说，现在有第二家能够提供HBM2E内存的厂商了，有竞争才有降价，HBM内存本来就很贵了，现在也只有专业领域能用的起它。此前只有三星一家能够提供HBM2E内存，而HBM2时代是有两家。美光也已经计划进入HBM2的市场，称将在年内发售他们的HBM2内存。未来在专业领域中，HBM会起到越来越大的作用，它的高带宽特性在热门的AI加速器、深度学习等领域中是不可或缺的。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。

集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。

DRAM均价小涨带动原厂第一季获利能力提升第一季因疫情导致出货受阻，「价涨量缩」的情况下，三大DRAM原厂第一季营收均呈现小跌，三星跌幅约3%、SK海力士约4%，美光则约11%（本次财报季区间为2019年12月至2020年2月）。市占方面，三星约44.1%、SK海力士为29.3%，美光则为20.8%。展望第二季，由于产能规划大致相同，因此集邦咨询预期市占比例不会有太大变化。

三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。

三大原厂产能规划保守，资本支出续降观察各厂产能与技术能力，三星持续将部份产能(Line13)由DRAM转向图像传感器(CMOS image sensor)，不过平泽二厂预计下半年投入DRAM生产，弥补Line13的投片下滑，同时提高1Z制程的比重。整体而言，考量疫情对需求面的冲击，三星审慎规划产出，2020年产能增加幅度不高；SK海力士持续将M10厂的DRAM投片转向图像传感器，并增加M14的产出，另将于下半年小幅提高无锡厂的产能。但全年的整体产能增加幅度不高，主要由1Y纳米制程比重提升贡献；美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。

整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。

台厂重心皆为先进制程的研发与转换南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。

尽管营收表现分歧，但台厂今年重心都在下一代制程的研发，如南亚科宣布不使用美光授权后专注于1A/1B纳米，华邦持续提升25纳米新制程的良率和产品多样性，力晶则专攻25纳米DDR4产品的稳定度与兼容性。

PE8010/8030这两款U.3类型的SSD采用了SK海力士自家的主控，提供了对PCIe 4的支持。NAND采用了自家的96层堆叠TLC，拥有不错的寿命和性能，最大可提供8TB型号。它的顺序读写速度为6500MB/s、3700MB/s，随机读写性能分别是1100K IOPS和320K IOPS。两款U.3 SSD针对不同的使用场景进行了优化，PE8010针对读取密集场景，而PE8030则是针对混合型使用场景。他们虽然采用了PCIe 4，但在功耗控制上面做的非常好，最大工作功耗仅为17W。

另一款EDSFF 1U结构的PE8111则是面向于读取密集应用的大容量SSD，它使用了SK海力士最新的128层、1Tb密度的4D TLC，目前正在开发它的16TB版本，32TB版本也在开发计划当中。由于没有采用PCIe 4，它的顺序读写被限制在了3400/3000 MB/s的级别，随机读写性能为700K、100K IOPS。

新的PE8010/8030已经开始向客户出样，而16TB的PE8111则是要等到今年下半年才会出样，企业级产品已经面世，那面向消费级的PCIe 4 SSD也指日可待了。