近日ASML首席执行官Peter Wennick接受了媒体的采访，表示已为芯片短缺尽了最大的努力，但ASML光刻机的年产量仍落后于半导体制造商提出的采购要求。Peter Wennick估计，ASML每年的光刻机产量需要在目前基础上提高50%才能满足市场的需求，考虑到这种精密设备的复杂性，几乎不可能做到。

ASML在2021年交付了286台光刻机，与2020年相比增加了50台，也就是说年产量提高了21%，但距离50%的目标还差很远。事实上，这家总部位于荷兰的半导体行业巨头，未来两年都很可能成为行业发展的瓶颈。

英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）很清楚ASML要提高光刻机产量的难度，所以直接与Peter Wennick联系，以求更准确地预留兴建或扩建工厂的缓冲时间，以便于采购ASML的光刻机能够在入驻工厂的时间安排上更加契合，能够及时投产。为了减少中间过程浪费不必要的时间，其他半导体制造商投资扩建产能的时候，可能也会选择先搭建好工厂的框架，然后等待生产设备入驻。

Peter Wennick表示，ASML正在与供应商合作，试图进一步提高产量，然而能做的也就那么多了。在ASML的700多家供应商中，有200家被认为是关键供应商，需要每一家供应商同时增加产量，ASML才有可能提高光刻机的产量。由于光刻机里面使用的某些材料和组件极其复杂，有些部分想提高产量可能需要几年的时间才能实现。

其中一个例子是Carl Zeiss，这是ASML的其中一个重要的供应商，生产用于光刻机的镜块，负责的是ASML的机器中最复杂的工程部件之一。Carl Zeiss必须要增加生产量，ASML才有可能提高光刻机的制造规模。Carl Zeiss要扩大生产规模，首先要投资用于扩建生产设施和洁净室，然后聘请专业的技术人员。即便做到了这些，复杂镜块模组的整个制造过程还需要长达一年左右的时间。

虽然现阶段半导体的投资规模很大，行业发展非常红火，但仅仅依靠资本并不能解决所有的问题。半导体设备制造商需要应对的是世界上最复杂、最全球化的供应链之一，而且还很容易受到国际形势和各种争端的影响。事实上，ASML及其供应商在不过度扩张的情况下，稳定地增加产量已经不容易了。

ASML总裁兼首席技术官Martin van den表示，英特尔对ASML在High-NA EUV技术的远见和早期承诺证明了对摩尔定律的不懈追求。与目前的EUV系统相比，ASML的扩展EUV路线图以更低的成本、时间周期和架构等方面提供了持续的改进，这将是推动芯片行业未来十年发展的动力所在。

在去年七月份的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）展示了一系列底层技术创新，这些技术将驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。英特尔公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，表示将部署业界第一台High-NA EUV光刻机。

英特尔在2018年率先购买了早期的TWINSCAN EXE:5000系统，这次合作将延续英特尔从2025年使用High-NA EUV进行生产制造的道路。新的EUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

近日，ASML对德国柏林工厂的情况进行了初步评估，且更新了相关信息。火灾发生在工厂其中一栋生产大楼内，烟雾影响了临近的大楼，目前在部分区域已恢复了生产。厂区内其他建筑物没有受到影响，仍然可以正常使用。ASML还介绍了对光刻机生产的影响，包括DUV（深紫外线光科技术）和EUV系统。

目前DUV光刻机的相关组件已重新启动生产，尽管供应上出现暂时的中断，但ASML希望可以尽最大的努力补救，以免影响DUV光刻机的生产和营收。至于EUV光刻机，火灾影响了EUV系统中一个模块晶圆夹具的部分生产区域，正按计划恢复中，并确认如何将EUV客户的影响降到最低，包括供应计划和相关服务等。

ASML表示，2022年1月19日会公布2021年第四季度和全年业绩，以及对2022年的初步展望，届时会进一步提供柏林工厂火灾事件的信息。

据相关媒体近期的报道，为中芯国际提供14nm及以上工艺制程所需原料和设备的美国相关厂商，已获得美国的许可证。目前许可证以10nm工艺为分界线，14nm及以上工艺制程相关产品可以获得许可，10nm及以下工艺节点则会被限制。简单来说，现阶段中芯国际在ASML那里，除了EUV光刻机，基本上DUV光刻机都能买。

目前，一些公开了自己EUV工艺的大型晶圆厂包括有台积电、三星以及英特尔。台积电公司就如上文所述，集中应用在7nm工艺以及5nm工艺两个节点，而三星就是应用在7LPP工艺上，英特尔的话努力在明年使得自己的EUV工艺进入产线吧。

至于EUV光刻机的话，目前仍然是只有ASML公司供应。截止到2020年第二季度，ASML已经发货的EUV光刻机预计接近71台。所以，根据台积电公布的数据，这家公司应该拥有30-35台EUV光刻机。

而关于台积电5nm制程工艺上，今年主要服务的对象应该是华为海思和苹果两家公司，产品主要就是麒麟9000处理器以及A14处理器。另外就是，台积电还公布了基于N5的基础的N5P工艺，将提升5%的同功耗性能或减少10%的同性能功耗。

Intel曾经提出过经典的Tick-Tock规则，架构和工艺每隔两年交替升级一次，但是工艺的升级到了14nm就卡住了，14nm当年也延误了不少，到了10nm更是栽了个大跟斗，导致台积电直接追了上来，但现在他们尝试恢复两年升级一次工艺的节奏，2021年会推出7nm，而之后则是5nm、3nm、2nm和1.4nm。

来自wikichip的消息，在IEEE国际电子设备会议上，ASML首席执行官Martin van den Brink的演讲中有一页Intel未来工艺线路图，它显示了Intel今年有10nm，2021年的7nm和2023年5nm的发展和定义，到了2025年还有3nm，2027年会进化到2nm，而2029年，则会有1.4nm。

而每个节点之间，将会有工艺的改良版本+和++，这样可以更好的发掘之前工艺节点的潜力，唯一例外的是现在的10nm，因为现在的10nm工艺准确来说应该是10nm+，最初期的10nm是那个只有少量出货的Cannon Lake，明年会有10nm++，而2021年则是10nm+++，同年Intel也会推出7nm EUV工艺。

而且这张幻灯片上也有提到反向移植，他们设计芯片时会同时兼容新和旧两种工艺，如果新工艺进展顺利的话就直接使用新工艺生产，如果进展不顺利的话只需要较少的时间使用交旧工艺的++版本生产新架构的处理器，这应该是Intel这几年的惨痛经历得出的教训，Intel允许任何第一代7nm设计都可以反向移植到10nm+++，5nm的设计可以反向移植到7nm++，3nm可移植到5nm++等等。

目前已经确定Intel的下一个工艺节点7nm会使用EUV工艺，而去年的架构日上，Raja Koduri也透露过未来的5nm可能会从现有的FinFET技术转移到全能门GAA技术，而且可能使用高NA EUV工艺，2023年也和ASML销售高NA EUV光刻机的时间重叠，至于更先进的3nm、2nm和1.4nm工艺，Intel目前还处于寻路模式，和以往一样Intel在寻找新材料、新晶体管设计等，现在谈论他们还太早。

而到目前为止，只有一家光刻设备生产厂能够提供EUV光刻设备，这家厂就是业内著名的ASML公司。他们在本周公布了2019年第三季度的财务报告，数据显示他们在第三季度中收到了来自不同客户的23份EUV光刻系统订单，这使得他们在上个财务季度达到了公司有史以来的最高单季预定额，总数达到51.11亿欧元，比上季度数据高出80.72%。而总收入和净收入数据也很好看，总收入达到29.87亿欧元，净收入达6.27亿欧元。三季度中ASML交付了7台EUV光刻系统，这使得今年交付的EUV光刻系统总数达到了18台。

EUV作为一项高难度工艺，目前也只有寥寥几家代工厂有能力使用它，还因为EUV设备的提供商仅有ASML一家的缘故，全球到现在不过只有约60台EUV光刻工具，远少于DUV设备的数量。除了将EUV工艺应用于高密度的处理器生产流程之外，三星和SK海力士还在考虑将EUV引入到DRAM的生产中，使1x/1y nm工艺更上一个台阶。而随着主要半导体代工厂在规划自己未来的工艺时纷纷使用EUV技术，ASML的业绩也将继续走高。

根据ASML的财报，Q1季度该公司营收22.89亿欧元，其中服务费用5.4亿欧元，设备净销售额16.89亿欧元，EUV光刻机营收占了22%，当季出货4台EUV光刻机，而2018年Q4季度出货了5台EUV光刻机，毕竟Q1季度是淡季，而且各大厂商今年也放缓了半导体投资步伐。

目前ASML出货的EUV光刻机为NXE：3400B型号，每小时处理器的晶圆数不低于125片（125 wph），而今年下半年他们将会推出NXE：3400C光刻机，每小时处理器的晶圆数不低于170片（170 wph）。我们之前介绍过，光刻处理是半导体芯片制造工艺中最复杂的一步，耗时最多、同时也是成本最高的一个过程，占了整个芯片制造成本的1/3左右，所以光刻处理的效率极大地影响着半导体芯片的产能及成本。

从125 wph到170 wph，产能将会提升36%，也就是说一下子就提升了三分之一的产能，这对今年内量产7nm EUV工艺的台积电、三星来说是个重大利好。

荷兰Financieele Dagblad报纸周四发表了一篇文章，称6名中国员工窃取了ASML公司的商业机密，并将机密出售给XTAL公司，而XTAL母公司是中国的东方晶源，文章提到这家公司背后有中国政府的支持。这起案件去年被法院判决，裁定XTAL公司要向ASML公司支付2.23亿美元的赔偿金。

荷兰媒体炒作ASML泄密案而且将案件与中国联系起来，不过ASML公司对这个报道并不赞成，不认为他们成为中国间谍的受害者，该公司在官网发表公告，详细介绍了案件的由来及他们的态度。

ASML表示窃密案发生在数年前（具体来说是2015年），是ASML美国分部的部分员工所为，他们窃取了ASML用于优化流程的软件机密，目的是创造一个新的竞争产品并出售给ASML公司的韩国客户。ASML称XTAL公司的主要资金来自中国及韩国，2016年发现此事之后他们迅速行动，采取法律行动保护自己，美国圣克拉拉法院判决XTAL公司赔偿2.23亿美元，但XTAL已经破产，不确定这些赔偿能筹集到什么程度。

ASML对自己成为企业窃密的受害者感到遗憾，他们在发现问题之后果断采取行动，虽然企业窃密一直存在于各个行业，并且永远是一种风险，但ASML近年来大幅增加了保护自己资产的努力。

ASML表示他们反感任何因为此事而认为ASML在中国区的业务会受到影响的猜测，窃密案中有些人恰好是中国人，但也有其他国家的人员参与其中。

ASML表态会谨慎地保护自家的知识产权，对信息安全非常敏感，该公司相信他们可以为包括中国公司在内的所有客户提供服务，并帮助他们建立企业业务。

此外，ASML还提到了中欧之间近期达成了有关保护非中国公司知识产权的协议，包括采取有效的法律行动，他们对此感到鼓舞。

ASML公司日前发布了2018年Q4季度财报，当季营收31.43亿欧元，环比增长13%，其中设备净销售额24.24亿欧元，毛利率44.3%，净利率25.1%，当季净利润7.88亿欧元，高于分析师预期。

ASML公司2018年营收109亿欧元，其中设备销售额82.59亿欧元，净利润26亿欧元。

Q4季度中ASML出货的光刻机是5台，与Q3季度持平，全年出货EUV光刻机18台，虽然比起2017年的11台大幅增长，但是比之前预期的20台还是有所减少的。根据ASML公司所说，是他们的客户为了平衡市场供需而延缓了EUV光刻机的交付时间，从今年上半年推迟到了下半年。

ASML这番话的背景是2018年底开始半导体市场由盛转衰，首先是存储芯片大降价，一向坚挺的内存价格也跌了，导致三星、SK Hynix及美光等公司大幅削减了今年的资本支出，购买先进设备的意愿下降，而台积电等晶圆代工公司也同样因为苹果iPhone销量下滑等因素受到了影响，也下调了资本支出，逻辑芯片、存储芯片市场下滑也影响了ASML光刻机的出货。

每次提到光刻机，总有人以瓦森那协议为由说美国禁止向中国出口光刻机等先进设备，但从ASML公司的表态来看，他们从来没承认过封杀中国公司进口，实际上中国大陆还是ASML光刻机出口的重要市场，2019年国内市场的营收只占11%，2018年就占到了19%，而ASML CEO表示来自中国市场的强劲需求还会持续下去，因此他们对2019年的业绩也很有信心。

中国的晶圆厂除了进口ASML公司的ArF、KrF传统光刻机之外，EUV光刻机也采购了，去年有消息称中芯国际订购了一台EUV光刻机，预计今年上半年交货。不过国内没有大批量采购EUV光刻机的原因主要是技术还没跟上，EUV光刻机适用于7nm及以下工艺，国内目前量产的工艺还是28nm，14nm工艺研发完成了，但是中芯国际今年才能规模量产。

来自路透社的消息称，ASML周一宣布其供应商Prodrive上周六遭遇火灾，摧毁了Prodrive公司部分生产线及库存，ASML公司正在寻找其他供应来源，并帮助Prodrive尽快重启生产。ASML首席执行官兼总裁Peter Wennink在一份声明中表示：“我们希望Prodrive的管理层和员工在恢复生产过程中一切顺利，并尽可能地为他们提供支持。”

供应商遭遇火灾导致产能及库存受损，这对ASML的光刻机交付也会产生影响，ASML公司表示今年内的光刻机交付不会有任何变化，需要几周时间来评估这次危机对他们业务的整体影响。随后ASML更新的声明中强调虽然2018年的光刻机订单交付没问题，但是2019年初的ASML光刻机会延期交付，但延期多久上尚无消息。

根据ASML公司早前财报中的消息，Q3季度ASML出货了5台EUV光刻机，上个季度出货7台EUV光刻机，预计Q4季度出货6台EUV光刻机，全年出货的数量将达到18台，而2019年EUV光刻机预计出货数量达到30台。

ASML的EUV光刻机大客户除了三星、台积电及英特尔之外，国内的中芯国际SMIC今年也订购了一台EUV光刻机，预计会在明年初交付，不过中芯国际订购的EUV光刻机主要用于技术研发，短时间内并没有量产EUV工艺的需求，延期交付对中芯国际的影响并不大。

相比较而言，2019年初延期交付的EUV光刻机对台积电、三星的影响更大，不过这也取决于ASML受到Prodrive火灾的影响有多大，目前具体的灾害损失还没有结果。

来自中科院官方的消息报道，中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家罗先刚研究员介绍说，2012年，该所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务，经过近7年艰苦攻关，在无国外成熟经验可借鉴的情况下，项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米(约1/17曝光波长)。在此基础上，项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺，实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。

这一世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备是基于表面等离子体超衍射研制而成，它打破了传统光学光刻分辨力受限于光源波长及镜头数值孔径的传统路线格局，形成了一条全新的超衍射纳米光刻从原理、装备到工艺的技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性战略领域的跨越式发展提供了制造工具。

除此之外，国产的光刻机还有一个优势就是价格便宜，项目副总设计师胡松在接受《环球时报》记者采访时提到每台光刻机的售价应该在1000万元到2000万元人民币之间，未来市场前景广阔，但是完全替代荷兰ASML公司垄断的尖端集成电路光刻机还有一段路要走。

“我们自主研制的光刻设备目前可以小批量生产，助力新型纳米器件产品制造。在生产效率、套刻精度、芯片面积和成品率上还有待进一步提升”，副总设计师胡松说。

光电所根据实际需要，已经实现了相关器件的制造，包括纳米透镜和波前调控等超材料/超表面器件，大口径轻量化薄膜镜等第三代光学器件，切伦科夫辐射、LSPR和SERS生化传感、超导纳米线单光子探测等系列新型纳米器件的制造。

相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科大太赫兹科学技术研究中心、四川大学华西医院、中科院微系统所信息功能材料国家重点实验室等多家科研院所和高校的重大研究任务中取得应用。