据ctee报道，包括英伟达、AMD、英特尔、高通、联发科、苹果和谷歌在内的七家科技巨头将逐步采用台积电的3nm工艺。由于高需求和有限的供应能力，上游IC设计公司已经开始传出涨价消息。

传闻高通采用N3E工艺制造的第四代骁龙8的定价将比上一代芯片上涨25%，预计超过250美元，是首波涨价的产品，这有可能引发随后的价格上涨趋势。有业内人士表示，去年移动芯片的采购成本已经很高了，第三代骁龙8已经达到了约200美元。联发科今年将带来天玑9400，采用同样的工艺制造，不知道是否会追随高通的定价策略。

据了解，3nm制程节点的成本比起5nm制程节点高出约25%，不过这一比较没有考虑到芯片的大小、订单数量和设计架构等因素，从纸面上来看，高通第四代骁龙8的涨价看起来似乎也在合理范围内。台积电总裁魏哲家曾表示，台积电的产品具有高能效和更高的良品率，考虑到每个芯片的成本，台积电提供的解决方案仍然是最具成本效益的。

此前有报道称，台积电正在考虑提价，这有可能进一步推动芯片价格上涨。

在2024年第一季度里，排名第一的是台积电（TSMC），受到了来自智能手机、笔记本电脑等消费产品备货淡季影响，营收环比减少4.1%至188.5亿美元，由于同行面临相同的消费淡季挑战，因此市场占有率维持在61.7%，预计第二季度会有个位数增长；排名第二的三星主要依赖的是智能手机相关订单，也受到了同样的影响，营收环比减少7.2%至33.6亿美元；中芯国际（SMIC）跃升至第三，受惠于国产替代以及智能手机周边IC需求拉动，营收环比增长4.3%至17.5亿美元，表现优于同行，第二季度有望维持第三的位置；排在第四的联华电子（UMC）尽管出货量环比增长4.5%，但是被ASP下滑相抵，营收仅环比增长0.6%至17.4亿美元；格罗方德（GlobalFoundries）排在了第五，受到工业、车用和传统数据中心订单库存修正影响，营收环比减少达到了16.5%，为15.5亿美元。

第六至第十名里，华虹在第一季度的产能利用率提升，营收环比增长2.4%至6.73亿美元，高塔半导体、力积电（PSMC）、合肥晶合（Nexchip）和世界先进（VIS）都维持了上一个季度的位置，排名没有发生变化。

据UDN报道，高通、AMD和英伟达等芯片设计公司已开始选择在台积电3nm制程节点下单，确保了产能的利用率，现在订单已排队延伸至2026年，即便台积电相比去年增加两倍产能仍不足以应付。随着客户争先恐后地预订产能，台积电的3nm产能在未来两年将面临供应紧张的局面，而且这还不包括英特尔可能的CPU外包需求。

台积电的3nm制程节点提供了多种工艺，包括N3、N3E、N3P、N3X和N3A等。随着3nm工艺技术的不断升级，接下来的N3E将瞄准AI加速器、高端智能手机、数据中心等应用；N3P计划于今年下半年量产，预计到2026年将成为移动设备、消费产品、基站和网络应用的主流；N3X和N3A专为高性能计算和汽车客户定制。

为确保未来两年的稳定供应，台积电已采取多项措施扩大产能。台积电在之前的财报电话会议上表示，由于市场对3nm产能的需求强劲，将采取多项措施应对，包括转换一些5nm生产线设备到3nm生产线有业内人士称，台积电3nm总产能持续提升当中，月产量有望达到12万至18万片晶圆。

近日，魏哲家成为了台积电多年来首位兼任董事长和总裁双重职务的人，在上任后首场新闻发布会上表示，曾向黄仁勋抱怨他们的产品太贵了，虽然认可这些产品的价值，但台积电也在考虑向英伟达展示自身的价值。

在黄仁勋看来，台积电不仅生产芯片，而且处理了众多供应链上的问题，在半导体行业中发挥了重要的作用。同时黄仁勋并不特别担心地缘政治问题，因为有足够强大的供应链，为了确保计算性能的提升，英伟达正在构建完整的系统并创造更多的价值。

根据最新的季度财报，英伟达的毛利率达到78.36%，远高于AMD的46.78%，也高于台积电的53.07%。有市场分析机构指出，如果台积电提高先进工艺的代工订单报价，英伟达受到的影响较小，但是苹果、AMD和高通等公司的毛利率将会被稀释，影响财务表现。

由于英特尔在购买High-NA EUV光刻机方面表现得相当积极，新设备出现时已抢先下单，并在去年末接收了业界首台商用High-NA EUV光刻机，前一段时间已完成组装工作。传闻英特尔已经获得了明年上半年之前生产的大部分High-NA EUV光刻机，所以选择继续接收属于正常操作。真正让人感到意外的是台积电，要知道不久之前，台积电高层还在否定短期内引入High-NA EUV光刻机的做法，认为设备过于昂贵，A16制程工艺的公布一定程度上也印证了这种想法。

随着ASML证实了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，已经有媒体联系了台积电了解相关情况，不过得到的答复是属于与供应商之间的密切合作，似乎现阶段不想做太多的回应。据了解，三星和SK海力士明年也将得到High-NA EUV光刻机，预计在2025年下半年。

此前有报道称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多，目前ASML每年High-NA EUV光刻机的产能大概在5到6台，收到的订单数量在10至20台之间。

Anandtech报道，Lunar Lake采用了台积电的N3B工艺制造了整个计算模块，包括P-Core和E-Core，另外还采用了台积电的N6工艺制造了平台控制模块，其中并没有采用自己任何代工设施进行制造，然后再结合了英特尔的Foveros封装技术。要知道即便是现在市场上销售的Meteor Lake，也就是酷睿Ultra 100系列，计算模块上仍然采用的是自家的Intel 4工艺。

Lunar Lake的构建可以说是英特尔架构设计团队和台积电制程节点之间的协同合作，拥有全新的Lion Cove架构P-Core和Skymont架构E-Core，显著提升了性能与能效，或许这是许多玩家所期待的组合。过去几年里，AMD通过台积电在芯片的制造工艺方面占据了一定的优势，随着英特尔采用台积电最为先进的工艺，或许在性能比较时更能体现架构的设计水平。年末英特尔还会带来Arrow Lake，不知道是否也会如Lunar Lake这般操作。

不需要等太久，搭载英特尔和AMD新一代移动处理器的终端设备就会上市，相信大家都在期待它们的表现。

由于使用High-NA EUV光刻系统将大大增加晶圆厂的成本，根据配置的不同，设备的价格约在3.85亿美元起步。芯片制造商普遍更倾向于重复利用现有的工具，台积电也同样如此，尽可能地避免使用High-NA EUV光刻系统，除非原有的EUV光刻系统无法继续改进生产能力。与此同时，台积电还在相关光刻材料上下功夫，以提高光刻工艺和良品率。总的来说，台积电在High-NA EUV光刻技术上并不是太积极，更多地想挖掘现有EUV光刻设备的潜力。

与台积电不同，英特尔很早便下单订购High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔已完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作，正在进行校准步骤。传闻英特尔已经获得了明年上半年之前生产的大部分High-NA EUV光刻机，而现阶段ASML每年仅能生产5到6台High-NA EUV光刻机，ASML目前收到的订单数量在10至20台之间。

High-NA EUV提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。业界普遍认为，半导体工艺进入2nm时代后，会逐步采用High-NA EUV技术，以替换现有的EUV工艺。

由于市场对高性能计算和人工智能（AI）的需求激增，从2020年到2024年，其7nm以下先进工艺的复合年增长率（CAGR）超过25%。台积电决定扩大对先进工艺的产能投资，预计2024年的资本支出比过去四年增长了10%。

台积电在2022年至2023年期间平均每年建造五座晶圆厂，今年增加到七座，其中包括三家晶圆厂、两家封装厂和两家海外工厂。在中国台湾建设中的新竹Fab 20和高雄Fab 22都是2nm晶圆厂，目前进展顺利，预计明年开始生产。

同时台积电也非常注重在先进封装方面的投入，从2022年到2026年，台积电的SoIC和CoWoS产能的复合年增长率分别超过100%和60%。台积电希望到2026年底时，CoWoS产能可以在2023年的水平上增加两倍以上。

此外，台积电在EUV技术方面的应用也愈发成熟，EUV设备数量自2019年以来增长了10倍，目前占全球总数的65%。

英伟达新款Blackwell架构产品即将到来，包括GB200、B100和B200等多款新品，预计会消耗更多的CoWoS产能。此前有报道称，台积电计划2024年全面提升封装产能，预计年底每月产能将达到4万片，相比于2023年提升至少150%。此外，台积电已经在规划2025年的CoWoS产能计划，很可能还要实现倍增，其中英伟达的需求占据了一半以上。

目前一般的CoWoS封装里，需要在GPU芯片周围放置多个HBM芯片，而HBM芯片也被认为是瓶颈之一。随着堆叠层数和极紫外光刻（EUV）应用的增加，技术难度也随着HBM的迭代而升级。根据存储器制造商的规划，HBM3/3E的堆叠层数将从HBM2/2E的4到8层升至8到12层，未来HBM4更是进一步升至16层。

由于双重瓶颈的存在，短时间内很难克服AI GPU供应不足的问题。其他代工厂也在提出一些解决方案，希望能缓解封装产能不足的问题，比如英特尔使用矩形玻璃基板来取代传统的12英寸晶圆中介层，但是还需要大量的准备工作，并且要等待行业参与者的合作。

最近有消息称，台积电在中国台湾的北部（新竹宝山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）都有重大投资，兴建2nm工厂。其中新竹科技园宝山用地二期会兴建Fab20晶圆厂，共规划了四座12英寸晶圆厂（P1-P4），是新一代N2工艺的启动点。按照台积电的规划，宝山P1厂将于2024年下半年进入风险性试产，2025年第二季度实现小批量生产。

毫无疑问，苹果将是台积电2nm工艺的首个客户。虽然不少人猜测2025年发布的iPhone将首发搭载2nm芯片，但最新报告指出，iPhone 17系列所搭载的A19 Pro将错过2nm制程节点，选择的是N3P工艺，而今年的A18 Pro则是N3E工艺，与M4一样。

随着新一代工艺的量产，会进一步推高台积电的营收，预计2nm晶圆的报价比任何3nm迭代都要高。

据Anandtech报道，台积电在本周举行的技术研讨会上透露，这是其长期以来首次为满足专业技术需求专门建造生产线，接下来的四到五年里，逐步将特殊制程产能提升到目前的1.5倍，不但扩大了制造网络的足迹，还提高了整个晶圆厂供应链的弹性。

除了大家熟悉的N5和N3等为逻辑芯片服务的制程工艺外，台积电还提供了一系列的特殊制程工艺的代工服务，包括用户制造功率半导体、CMOS图像传感器、混合模拟I/O和超低功耗应用（比如物联网）等。一般来说，这些特殊制程的工艺会相对落后一些，但无论采用何种底层技术，产能需求都与台积电主要的逻辑制程节点需求同步增长，而台积电也会定时重新评估，规划特殊制程的产能。

全面扩大不同工艺的生产能力是台积电近年来的扩张目标之一，为了满足未来对所有类型工艺技术的需求，台积电也在积极开发先进的特殊制程工艺，下一个到来的是N4e，这是基于4nm打造的超低功耗工艺，不过台积电没有透露太多的技术细节。目前台积电最先进的同类工艺是N6e，工作电压在0.4V至0.9V之间，未来N4e可能会降至0.4V以下。

据Trendforce报道，最近台积电欧洲区负责人在荷兰举行的研讨会上，确认了其德国晶圆厂的建设时间，计划于今年第四季度开工，预计2027年投产。该项目得到了欧盟和德国政府的大力支持，台积电有信心获得《欧洲芯片法案》的补贴。

计划中的新建300mm晶圆厂将专注于22/28nm工艺，主要生产汽车使用的微控制器，未来有可能扩大生产，引入更先进的半导体技术，比如12/16nmFinFET工艺。预计该座晶圆厂的月产能为4万片晶圆，将创造约2000个直接的高科技专业工作岗位。项目投资总额预计超过100亿欧元，包括股权注入、债务借款以及欧盟和德国政府的补助，日常运营将由台积电负责。

台积电称，目前欧洲的半导体生态系统令人兴奋，通过在德国建造新的晶圆厂，使得其能够直接与主要汽车客户接触，此举非常有意义。

据AnandTech报道，台积电在近日举办的2024欧洲技术研讨会上表示，将采用N5和N12FFC+工艺制造基础裸片，为HBM4提供前所未有的性能和能源效率。台积电称，正在与主要的HBM内存合作伙伴联手，在先进制程上实现HBM4的全堆栈集成，其中N12FFC+工艺可以在满足性能要求下具备成本优势，N5工艺则可以在更低功耗下达到HBM4预期的速度。

N5是目前最先进的制程工艺之一，用于制造最好的CPU和GPU，现在用到存储器上属于一件大事，比起之前传言中采用的N7工艺更为先进。利用N5工艺，可以将更多的逻辑和功能封装到HBM4的基础裸片里，并实现非常精细的互连间距，这对于逻辑芯片上的直接键合至关重要，从而提高人工智能（AI）和高性能（HPC）所需的内存性能。N12FFC+工艺源自台积电非常成熟的16nm FinFET技术，制造的HBM4基础裸片可用于构建12层及16层堆栈，分别提供48GB和64GB的容量，比起N5工艺更具性价比。

此外，台积电还在优化CoWoS-L和CoWoS-R封装技术，以支持HBM4集成。按照SK海力士和台积电的计划，HBM4预计在2026年投产。

目前市场上唯一采用N3E工艺的芯片是苹果的M4，相比于采用N3B工艺的M3，不但增加了晶体管的数量，还提高了运行的频率，效果看起来相当不错。台积电表示，目前N3E工艺的产量和良品率都非常好，可以看到客户的产品有着很好的表现，同时也增强了其他潜在客户选择投产的信心。

N3E在N3B基础上做了简化，减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，降低了生产成本，并提升了产量和良品率。N3P作为增强型工艺，在N3E基础上有额外的提升，在相同功率下，性能可提高5%，或者相同频率下降低5%-10%的功耗，密度为N3E的1.04倍。

此外，N3P保持了与N3E的IP模块、设计工具和兼容性，使其成为开发人员一个具有吸引力的选择。这种连续性确保了大多数新的芯片设计（流片）可以N3E过渡到N3P，从而利用后者更强的性能以及更好的成本效益。

据Trendforce报道，日本熊本县新任知事木村敬（Takashi Kimura）在接受媒体采访时表示，将不遗余力地说服台积电在该地区建立第三家晶圆厂，已经向台积电提议今年夏天访问其总部，讨论相关事宜。此外，还希望吸引众多半导体相关企业和研究机构到熊本县，旨在建立一个类似于中国台湾新竹科学园区的产业集群，将当地转变为半导体中心，其中包括人工智能（AI）、数据中心和自动驾驶技术。

目前台积电已确认建设第二座晶圆厂，2024年底开工，2027年底开始运营，产能的扩大也有望优化整体成本结构和供应链效率。未来两座晶圆厂合计月产能将超过10万片12英寸晶圆，采用的半导体制造工艺包括40nm、22/28nm、12/16nm和6/7nm，面向汽车、工业、消费和高性能计算（HPC）相关领域的芯片。此外，产能规划可根据客户需求进行调整，预计将直接创造3400多个高科技工作岗位。