对特斯拉来说，他们的问题不在于产品好不好、卖不卖的出去，他们不愁卖，Model 3两年前发布的时候马上就有消费者交了1000美元定金下单，尽管大家都知道发货要一年多时间还是有45多万人下了订单，不过Model 3的产能一直是个问题，漫长的交货期导致有20多万人取消了订单。

产能问题将直接影响特斯拉能够盈利，特别是Model 3，马斯克之前许诺6月底之前达成每周5000辆的产能，这段时间以来他甚至住在了车间办公室，亲自监督工厂生产，前不久还有粉丝给他众筹了一个更舒服的办公司沙发。

马斯克发推确认了7000辆的周产能

马斯克及一众高管的努力没有白费，终于在最后的关键时刻完成了产能目标，马斯克在推特上确认6月份最后一周他们生产了7000辆电动车，实现了周产5000辆Model 3的目标。

在周产5000辆的目标达成之后，马斯克还在内部信中表示下个月(也就是7月份）的目标是周产6000辆。

NVIDIA去年Q1发布、今年Q1上市的Tesla P100加速卡是首个使用HBM 2显存的显卡，容量高达16GB，不过Tesla是针对HPC超算、数据中心市场的，与普通消费者无关，NVIDIA的GTX 10系显卡最多使用GDDR5X/GDDR5显存，消费级市场首个HBM 2显卡是AMD的RX Vega系列，显存容量8GB，是2颗4GB的HBM 2显存，带宽512GB/s，与Fury系列相同，带宽没提升，不过AMD表示Vega显卡做了很多优化，比如支持HPC缓存主控，最高512TB虚拟寻址空间等等。

用HBM 2是好事，就算Vega显卡带宽相比第一代没提升，不过HBM 2显存在封装、占用面积上的优势依然有足够的吸引力，不过从HBM到HBM 2显存，始终让人不放心的就是这种新型显存的产能实在太低，制造工艺复杂，而且目前应用远不如GDDR显存那么广泛，造成了HBM显存成本奇高、产能有限，AMD的Fury系列显卡当年以20厘米的长度惊艳了世人，但是遭遇了产能太少、供应不足的问题，下场并不好。

如今Vega显卡发布在即，HBM 2显存产能的问题也让人担心。TweakTown表示他们的从业界获悉一个噩耗——Vega显卡产品线也会受到影响，因为HBM 2显存供应不足，而这不仅会导致Vega显卡价格上涨，也会让Vega显卡的产量有限。

这也可能是AMD Vega显卡为何花了这么长时间才能发布的原因，因为AMD需要很多时间来积累HBM 2库存。原文甚至给出了具体的Vega显卡供应数量——在发布后的几个月内AMD只能供应16000块Vega显卡。

PS：看到这个新闻不知道说啥好，虽然很早也担心HBM 2产能问题，不过看了原文报道感觉这事又不那么简单了——HBM 2产能可能还是个大问题，Vega显卡部分受影响也很正常，不过AMD的Vega显卡拖了这么久才发布不可能只是等HBM 2库存。至于说1.6万块Vega显卡，如果Vega显卡最终性能可比GTX 1080 Ti，那么售价也会奔向5000+，这个级别的显卡初期备货1.6万块真不少了。如果这1.6万块是分给三款Vega型号的，而且售价比NVIDIA高端卡更低，这种情况下供应不足才是问题。

对于AMD的Vega显卡，性能如何还没有定论，现在又传闻产能有限的消息，确实不是什么好事了。关心或者准备入手Vega显卡的玩家可以先关注小超哥（ID：9501417）微信，向他咨询有关Vega显卡的爆料、售价及上市信息。

三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工，那个是针对NAND闪存的，主力产品将是64层堆栈的3D NAND闪存。而在DRAM领域，三星也有新的投资计划，韩国ETNews报道称三星已经通知设备供应商要扩大韩国华城市（Hwasung）的Line 17工厂，预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间，约合22-26.4亿美元。

以300mm晶圆计算，扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆，目前的产能约为4万片晶圆/月。

三星这次扩展Line 17工厂产能的主力产品是10nm级DRAM内存，预计下半年加速生产。注意这里说的是10nm-Class，目前来说应该是18nm工艺的产品了，三星去年宣布量产18nm工艺，之后还会陆续推出17nm、16nm工艺的DRAM芯片。

PS：三星投资扩大DRAM产能是件好事，考虑到他们是全球最大的DRAM供应商，三星此举有助于推动DRAM市场供应平衡，虽然说DRAM再度降价还是很遥远的事。另外，随着紫光公司巨资建设晶圆厂，国内厂商介入NAND、DRAM领域也为期不远了，尽管他们与三星、SK Hynix等巨头还有很大差距，不过这对市场来说是个利好，多点竞争总是好事。

想要了解、咨询内存、SSD硬盘选购的玩家可以找小超哥（ID：9501417）微信，他会根据大家的需求和预算推荐合适的产品，欢迎加他好友。

目前三星生产移动处理器最先进的工艺是14nm FinFET，下一代则是10nm FinFET，也有LPE低功耗及LPP高性能之分，不过LPP工艺要等到今年下半年才会量产，首先量产的是10nm LPE工艺。根据三星所说，新工艺下的SoC性能可以提供27%，功耗将降低40%。

最早使用10nm工艺的处理器是高通骁龙835，这款处理器也将是2017年各大手机厂商新旗舰必备的硬件配置，但是因为10nm工艺的产能、良率问题困扰，骁龙835以及三星自家的Exynos 8895量产时间都比前代芯片晚一些，上月的MWC展会上，LG发布的G6手机就只能使用骁龙821处理器，等不及骁龙835了，索尼倒是抢先首发了骁龙835手机Xperia XZP，不过上市时间还没确定。

要想解决产能问题，三星加大投资是必须的，日前该公司宣布斥资8万亿韩元、约合69.8亿美元以扩大半导体生产线，其中2.5万亿韩元将投向位于Hwasung-si的17 Line工厂，预计今年Q2季度早些时候将额外增加1.8万片晶圆/月的10nm产能——现在10nm的产能是2.5万片晶圆/月。

余下的大把投资则会瞄准未来的7nm工艺，三星与TSMC在7nm节点上同样竞争激烈，从之前官方公布的进展来看，TSMC在7nm节点上稍微领先一些，三星现在要加快追赶进度了。由于17 Line工厂没有足够的空间扩充7nm工艺，三星今年底准备新建一座工厂，到2019年下半年时预计月产能为3万片晶圆。

7nm节点对半导体厂商来说非常重要，因为它不仅是高性能节点，还因为7nm节点是新一代半导体生产装备EUV光刻工艺正式商用的节点。根据韩媒消息，三星已经订购了8台ASML公司的EUV光刻机，每台售价高达2.5万亿韩元（约合2.18亿美元），光是为这些生产装备就花了17.4亿美元了。

SK Hynix在全球NAND市场上的份额约为10%，略低于美光，与三星的36%、东芝的20%、闪迪/西数的16%份额相差较多，要想扩大份额，提升产能是免不了的。SK Hynix的NAND闪存工厂主要分布于韩国利川市，去年在忠清北道建设了M14工厂，当时SK Hynix宣布未来要建设三大NAND基地，总投资高达46万亿韩元，现在宣布开工的就是清州市的NAND工厂，投资2.2万亿韩元，约合18.3亿美元或者127。3亿人民币。

根据SK Hynix的消息，他们将在清州市的科技园区新建大约23.4万平米的厂房，明年8月份建成洁尘室，2019年6月份全部完工。

虽然官方没有提及新建工厂主要生产何种NAND闪存，不过新一代3D NAND闪存是没跑了，SK Hynix公司去年才推出3D闪存，今年才算是正式量产，堆栈层数为36层，层数比三星、美光还多，不过核心容量还是128Gb。

11月的时候，SK Hynix又宣布量产48层堆栈的3D NAND闪存，清州市NAND工厂未来生产的NAND闪存应该会更先进。

除了大举扩张NAND产能之外，SK Hynix还准备扩大DRAM内存产能。他们在全球内存市场上份额高达28%，低于三星的46%，高于美光的20%，是全球第二大内存厂商。这其中，SK Hynix位于中国无锡的DRAM工厂就占据了全球15%左右的产能，这也是为什么当年无锡工厂大火导致生产停工，进而使得内存大涨价的原因了。

SK Hynix准备投资9500亿韩元升级无锡工厂，这笔投资大约是55亿人民币，并不够新建晶圆厂的，主要是在2017-2019年间扩展洁尘室。

值得一提的是，SK Hynix大规模扩建NAND工厂的同时，中国自己的NAND晶圆厂也在紧锣密鼓地建设中，厦门、合肥、深圳以及武汉等地都在争，得到国家支持的是武汉新芯科技主持的，现在已经被紫光收购，变成了长江存储科技，他们也会在2017-2018年投产3D NAND闪存，32层堆栈的。尽管国内厂商的技术水平达不到三星、SK Hynix水平，但国内投资巨大，产能起来之后势必要价格战，届时市场恐怕又是一片惨烈，要重新洗牌了。

更正：SK Hynix的投资额是2.2万亿韩元，之前文章有错误，特此致歉。

半导体制造是芯片产业的核心，也是门槛最高的，建造一座12英寸晶圆厂动辄投资数十亿甚至上百亿美元、即便投资不是问题，先进工艺研发也需要大量技术、人才，大陆公司在这两点上显然不占优势。TSMC说他们六年前就推出了28nm工艺，中芯国际目前的28nm工艺实际上只量产了28nm Bulk，高性能的28nm HKMG才刚开始。

除了时间上的优势，TSMC还能给客户提供更多选择，他们的28nm工艺已经衍生出了6种版本，包括高性能的28nm HPM、HP，低功耗的也有28nm LP，功耗成本兼顾的28nm HPC等等。

此外，TSMC每年R&D研发投资的十分之一都用来增强工艺的差异化，还增加了eFlash嵌入式闪存或者其他功能单元以提升制程工艺的功能性。

PS：TSMC的制程工艺确实领先大陆公司很多，不过他们说的六年前推出28nm只是口头宣布而已，TSMC的28nm工艺也难产了相当长一段时间，HD 7970首先使用了28nm工艺，发布于2011年底，但直到2012年TSMC的28nm工艺产能都不怎么样，Q1季度产能占比不过5%而已。

在半导体工厂方面，中国公司确实加大了投资，我们听得最多的就是紫光集团了，这两年不仅巨资收购了瑞迪科、展讯等公司，还接连入股全球前四的台湾半导体封测公司。最近他们还把武汉新芯科技公司拿下了，后者已经在武汉开建国家级存储芯片基地，预计投资240亿美元，一期工厂主要生产3D NAND，未来还会生产DRAM内存，并进军代工业。

紫光和武汉之外，大陆其他地方政府也在拼力建设存储芯片厂，包括华南的深圳、安徽合肥、福建晋江等等，一旦落实，每个地方的晶圆厂建设也要花费上百亿美元投资。

海外公司也在加大中国市场投资，三星70亿美元在西安建设了3D NAND闪存厂，目前已经投产，Intel还在投资升级大连的晶圆厂，原本是芯片封装用的，现在也改为闪存芯片厂了。

以上还只是存储芯片领域的，处理器领域还有南京的TSMC工厂，斥资30亿美元建设12英寸晶圆厂，主产16nm工艺。中芯国际也跟华为、高通及比利时微电子中心合作研发国内的14nm工艺，以中芯国际的地位，未来继续建设新晶圆厂、扩大产能已无悬念。

晶圆厂投资巨大，中国大力投资半导体工厂意味着投资会大大增加。日本日经新闻指出，2015-2020这五年之间，中国在半导体领域的投资将翻倍，达到5万亿日元，约合487亿美元，将建设至少10座晶圆厂。

中国人疯狂涌入半导体领域意味着什么？中国大手笔投资必然会造成产能大幅增加，但市场需求并没有如此快速的增长，日经新闻担心中国厂商的介入会导致供需情况崩溃，供需面临恶化局面。

在这方面已经有过多次“教训”了，中国在LED、液晶面板及钢铁行业大举投资，导致产能过剩，为了消化这些产品，中国向全世界出口——如果你关注过时政新闻，应该能看到最近一段时候来中国钢铁行业的去产能已经是世界关心的话题了。

PS：欧美日韩在半导体行业领先，他们自然担心后来者中国要抢他们的地盘，日经新闻这篇文章角度免不了站在他们的立场上。不过对中国公司来说，起步已经落后了，不加大投资怎么可能去跟三星、Intel、美光等公司竞争？这个过程中必然会伴随产能过剩，很自然地也会看到中国公司未来会用低价策略来抢市场，导致欧美日韩公司运营情况变糟——市场洗牌就是这样的。

AMD今年新一代显卡用上了Polaris架构和14nm LPP工艺，双重升级下的GCN架构在性能、功耗及发热上有了明显改善，RX 480显卡性能超过了前代的R9 380而达到了R9 390显卡的水平，但功耗低得多，8GB版售价1999元，性价比还是很不错的。

在这样的情况下，RX 480显卡的供应及销售情况如何呢？AMD CEO苏姿丰日前在回答分析师提问时表示他们对RX 480显卡发布很兴奋，发布当日已经给主要渠道商供应了充足的RX 480，自那之后RX 480显卡的需求一直很强烈，部分经销商甚至供不应求而缺货了。

她还提到了显卡的工艺产能问题，RX 480及未来的Zen处理器都使用了GlobalFoundries的14nm LPP高性能工艺，苏姿丰表示14nm LPP工艺目前产能良好，她们正在加速产能爬坡，预计本季度能满足市场需求。

除了RX 480之外，AMD还有RX 470及RX 460等显卡尚未发布，不过已经箭在弦上，很快也要解禁了，其市场价格预计在99-149美元，填补RX 480之后的市场空白。

索尼PS VR使用了5.7寸OELD屏幕，单眼分辨率960x1080，双眼合计1920x1080分辨率，比HTC Vive及Oculus Rift VR眼镜的1200x2160分辨率低了，不过PS VR刷新率达到了120Hz，比前两者的90Hz更高，高刷新率对VR眼镜也非常有好处，也算是对分辨率较低的补偿吧。

PS VR另一个优势是延迟，索尼官方表示其延迟低于18毫秒，这在VR眼镜中已经是顶尖水平了，毕竟Oculus公开宣布的延迟也不过是20毫秒，大部分VR的目标是控制在25毫秒内。

价格方面，单一VR眼镜售价399美元，包括PS Move与体感手臂的套装包售价是499美元。在E3展会上，索尼正式宣布PS VR开卖日期，今年10月13日正式开卖，目前只支持PS4主机，不过索尼表态称未来有可能支持PC主机。

粉丝们已经在摩拳擦掌、攒钱准备入手PS VR了吧，不过还有一件事要注意，那就是抢购，索尼游戏子公司SIE社长Andrew House在接受CNBC采访时表示“PS VR初期出货量会有些紧张，大家要做好缺货的觉悟。”，他还表示PS VR产能有限，但索尼已经在尽最大努力。

别说索尼了，HTC及Oculus的VR眼镜其实在上市初期都遇到了产能问题，出货量有限，所以黄牛炒货很厉害，这两款VR眼镜一度炒卖到一万元以上，PS VR显然也会遇到这样的考验。

TSMC计划在2016年的10nm节点上就启用EUV工艺，所以他们现在对EUV工艺是最热心的，只不过EUV设备目前还是新技术，产能上不去，此前IBM与ASML创造的记录是每天处理637片晶圆。现在TSMC与EUV的努力下，EUV光刻设备在90W光源下实现了每天1022片晶圆的处理速度。

1000片晶圆/天的产能对EUV工艺来说是个新的里程碑，达到1500片晶圆/天的产能之后EUV设备才具备经济效益，这也是ASML与EUV的下一个目标。目前1000片晶圆/天的产能是ASML公司NXE:3300B设备实现的，其升级型号NXE:3350B将达到1500片晶圆/天的产能。

TMSC公司目前上马了至少四套EUV光刻设备，并打算在2016年底的10nm工艺上尽快启用EUV工艺。不过ASML公司对此倒不是很乐观，至少要到2018年才能大规模使用。2016年底就算能启用EUV工艺，初期也只能用在一些小而且简单的芯片上，比如逻辑电路、DRAM及NAND闪存等，复杂的SoC处理器还得等等。

在前两天的财报会议上，Intel CEO科赞奇（Brian Krzanich）也谈到了这个问题，“总体上上个季度我们的表现还不错，只是我们还有很多重要工作要做。我们的14nm工厂的产能已经有了明显改善，但还是低于我们的预期，其中最困难的挑战就是让14nm工艺产能尽快爬坡。”

Intel原本预计有三座晶圆厂生产14nm工艺

Intel原本预计在2014年有俄勒冈的D1X晶圆厂、亚利桑那州的Fab42晶圆厂投产14nm工艺，2015年还有爱尔兰的Fab 24晶圆厂投产，不过之前已经暂停了Fab42晶圆厂的14nm工艺升级计划，爱尔兰的14nm晶圆厂倒是放行了，不过2015年才能量产，目前就只有D1X晶圆厂在产14nm工艺了。

在晶圆厂不足的情况下，为了最大化产能，目前投产的14nm Broadwell处理器实际上只有Core M，都是双核的低功耗、低性能产品，Intel的14nm桌面处理器已经推迟到了明年中，因为2015年上半年14nm工艺产能才能满足需要，所以明年我们可以同时看到首款14nm工艺的Broadwell桌面处理器以及第二代14nm工艺的Skylake处理器共存的情况。

锤子T1手机是今年5月底发布的，按说这都4个月了，产销早就应该纳入正轨了，不过T1手机独特的设计遭遇了产能的考验，产能不足导致很多用户预交了全款都拿不到产品，用户不满不说，这也让看热闹的以及竞争对手纷纷调侃或者质疑锤子，老罗和锤子这段时间估计头都大了。

现在锤子科技官方总算有个表态了，宣称“是时候了”，T1手机产能已经基本解决，发货速度也明显改善，具体来说就是：即日起在官网订购T1手机的用户可在2周内发货，之前提交订单的用户则会在今后1周左右发货。

不过每次锤子科技或者老罗的长微博中最引人瞩目的其实是他们对质疑的反击，这次也不例外，当然锤子和老罗都是文艺范儿，所谓的反击通常都很有心灵鸡汤的感觉，这次他们首先感谢了那些交钱而且耐心等待的锤子粉丝，第二个感谢的则是那些看热闹或者落井下石的人，锤子称这些人的存在让他们看到意识到他们的勇气、执着、对世界的坦诚和善意都是弥足珍贵的。