近日有网友透露，三星会从2024年1月2日起，向媒体和其他相关人员发出官方邀请函，参加三星在美国加利福利亚州圣何塞举办的“Galaxy Unpacked”活动，也就是Galaxy S24系列智能手机的发布会。

此前有报道称，客户可以在韩国首尔时间1月19日开始预订Galaxy S24系列，首批设备会在1月26日至1月30日发送。据称，Galaxy S24系列的定价与今年的Galaxy S23系列差不多。传闻Galaxy S24将坚持8GB内存的配置，Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra则是可选8GB和12GB，另外会带来一些令人兴奋的升级，比如Galaxy S24+会配备1440P屏幕、Galaxy S24 Ultra采用钛合金框架等。

Galaxy S24系列应该是三星首款带有人工智能（AI）功能的智能手机，配备了三星内部开发的人工智能技术。三星还可能将Bixby重新命名为Galaxy AI，三星已经公布了其首个人工智能应用，通话时音频和文本翻译将实时显示在手机屏幕上，有效提升了不同语言人士之间的交流效率与流畅度。

去年三星就在新发布的移动处理器Exynos 2400上，介绍了全新的Zoom Anyplace技术，其中便利用了人工智能技术。其使用自家的2亿像素图像传感器，在不影响图像质量的情况下，最高可拍摄4倍特写；同时在拍摄移动中的物体时，可缓解主体模糊的情况；另外可以自动实时跟踪和捕捉物体，以全屏方式进行录制，提供更丰富的细节。

三星并不是唯一有这方面想法的厂商，SK海力士在去年的活动里就透露，如何将人工智能芯片集成到影像传感器，从而减少延迟、提高图像质量、降低功耗，而且包括人脸和物体识别在内的许多功能正在测试当中。虽然SK海力士的影像传感器主要供应中低端智能手机，但是也想利用人工智能爆发的契机，争夺更多的市场份额。

短时间内，具备人工智能的图像传感器或许还不能起到多大作用，但确实看起来非常吸引，也会为产品增加新的卖点。

根据galaxyclub及wccftech消息，Galaxy S24系列欧版售价已曝光，对比上一代机型Galaxy S24及Galaxy S24+的其售价均有下降，但Galaxy S24 Ultra价格上涨，具体信息如下：

Galaxy S24 8GB+128GB：899欧元（折合人民币约7000元）

Galaxy S24 8GB+256GB：959欧元（折合人民币约7500元）

Galaxy S24+ 12GB+256GB：1,149欧元（折合人民币约9000元）

Galaxy S24+ 12GB+512GB：1,269欧元（折合人民币约10000元）

Galaxy S24 Ultra 12GB+256GB：1,449欧元（折合人民币约11000元）

Galaxy S24 Ultra 12GB+512GB：1,569欧元（折合人民币约12000元）

作为对比，上一代机型Galaxy S23、Galaxy S23+以及Galaxy S23 Ultra起售价分别为959欧元、1219 欧元和 1419 欧元。从数据我们可以看到，相较于今年发售的Galaxy S23系列，Galaxy S24标准版及Plus版本在售价方面均有下调，但Ultra售价却迎来上涨。

至于Ultra价格商上涨的原因，galaxyclub认为大概率是Galaxy S24 Ultra取消了8GB RAM的产品，该机型在内存配置上将全系标配12GB RAM。

不过上述两家媒体均有提到，这些数据仅能说明该系列机型的欧版售价，在欧洲以外的市场会有不同的售价，而且根据此前消息，Galaxy S24系列在其他地区涨价的可能性并不高。

目前已基本可以确定三星Galaxy S24系列将定于韩国时间2024年1月18日发布，该系列机型将全系搭配第三代骁龙8移动平台及快充功能，最高支持8K视频拍摄，Galaxy S24 Ultra将独占钛合金机身。

由于生成式人工智能（AI）、自动驾驶和内存数据库（In-Memory Database，IMDB）等新兴领域的数据吞吐量和内存需求呈指数级增长，对具有更大内存带宽和容量的系统的需求也在增加。CXL作为一种开放性的互联协议，拥有更高的带宽，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。作为下一代接口，与主DRAM一起使用的时候，可以扩大带宽和容量，满足计算市场高速数据处理的需求。

在最新的开发中，三星针对Red Hat Enterprise Linux（RHEL）9.3做了CXL内存的优化工作，并验证了在Red Hat的KVM和Podman环境下的内存识别、读写操作。这让数据中心客户可以轻松使用三星CXL内存，无需对现有硬件进行额外调整。三星和Red Hat还在合作编写“RHEL 9.3 CXL内存启用指南”，以帮助用户在该操作系统上使用三星的CXL内存，并在各种用户环境中构建高性能计算系统。

三星和Red Hat的合作始于2022年5月，双方签署了关于下一代存储器合作的谅解备忘录（MOU），并将通过三星存储器研究中心（SMRC）继续开发CXL开源和参考模型。目前双方合作的范围涵盖一系列存储和内存产品，包括NVMe SSD、CXL内存、计算内存/存储和结构。

Galaxy Book 3 Go整体尺寸为323.9 x 224.8 x 15.5 mm，重量为1.43kg，与Galaxy Book 2 Go搭载了相同的处理器，都是第三代骁龙7c+计算平台，采用6nm工艺制造，CPU配有4个Cortex-A78内核和4个Cortex-A55内核，另外还有Adreno GPU。其受益于FastConnect 6700移动连接系统，带来了更好的Wi-Fi 6/6E传输速度，支持蓝牙5.1，集成的骁龙X53 5G调制解调器及射频系统，可提供3.7 Gbps的连接速度。

Galaxy Book 3 Go采用了14英寸IPS屏，分辨率为FHD，还配有4GB的LPDRR4x内存，128GB的eUFS存储，一个MicroSD卡插槽，提供了两个USB Type-C接口、一个USB Type-A接口和一个3.5mm音频插孔，另外还有两个1.5W扬声器和720P网络摄像头。三星为Galaxy Book 3 Go配备了42.3Wh电池，提供了45W快速充电功能，充电30分钟即可持续8小时。

三星表示，Galaxy Book 3 Go专门针对学生设计，也可以作为办公人员辅助使用的笔记本电脑。新产品将于2023年1月2日起通过三星商店（包括线上和线下）和三大移动网络运营商（KT、LG Uplus和SKT）在韩国发售，售价为557,700韩元（约合人民币3078.5元）。

近日有网友表示，收到了来自三星供应链的爆料，Galaxy S24系列的128GB存储版本仅支持UFS 3.1标准，而不是其他同系列产品的UFS 4.0标准。这意味着三星为了贯彻执行成本控制策略，在下一代旗舰系列智能手机的读写速度上作出了妥协。

目前三星基于UFS 4.0标准的最新存储芯片搭配专有的主控时，顺序读取速度最高可达4200 MB/s，相比之前基于UFS 4.0标准的解决方案节能46%，且带宽提升了一倍。加上IOPS的提高，基于新标准的存储可以使手机有更快的响应速度，打开应用程序和其他任务变得更轻松。当然，普通用户可能很难注意这一点差异，传闻高通第三代骁龙8的定价比起第二代骁龙8更高，三星不得不在其他配置上选择妥协。

一些智能手机制造商宣传自家产品整合了一流的核心硬件时，也会同时选择其他一些零部件上缩水，比如图像传感器，以便于控制成本。像三星这样在存储解决方案上降低标准也是常见的手段，而且很多时候日常使用中没有明显差别，用户不一定能感觉到配置的差异。

有业内人士预计，三星的美国新建晶圆厂明年只会安装少量的设备，并不是全面投入运营。三星计划明年上半年起，建造一条月产量为5000片晶圆的300mm晶圆生产线，规模并不大。要知道三星最近在韩国平泽3号工厂建造的4nm生产线，月产量达到了2.8万片晶圆。

据了解，三星改变量产计划的原因很多，其中一个关键问题是美国政府承诺的补贴延迟发放。作为《芯片法案》的一部分，美国政府承诺向当地建造半导体工厂的企业提供总计527亿美元的补贴，其中制造业部分为390亿美元。不过最近有报道称，英特尔可能获得最多的40亿美元补贴，无论分配时间还是金额，美国政府都将国内企业放在了优先考虑的位置。

此外，市场不确定性也是三星内部担忧的另外一个问题，虽然业界预测半导体需求会逐步恢复，但也有人认为，这一时间会推迟。

毫无疑问，提高频率确实是最直接让Xclipse 940 GPU获得性能提升的方法。此前泄露的基准测试显示，Exynos 2400的图形性能似乎很不错，接近于高通第三代骁龙8的成绩，后者采用了Adreno 750 GPU。

过去有消息称，三星因为Exynos 2200的发热问题，降低了CPU和GPU的频率，显然这会非常影响其性能的发挥。传闻Exynos 2400采用了4nm LPP+工艺制造，并首次应用了扇出型晶圆级封装（FoWLP）封装，三星希望占用更少的封装面积，同时也让芯片做得更薄，并改善芯片的散热表现。

此外，Exynos 2400的CPU部分为1+2+3+4的四丛架构，包括1个超大核（Cortex-X4@3.10GHz）、2个高频大核（Cortex-A720@2.90GHz）、3个低频大核（Cortex-A720@2.60GHz）和4个小核（Cortex-A520@1.80GHz），总共配置有10个核心。按照三星的说法，性能比起Exynos 2200提升了70%，

要知道在去年，三星在全球mini LED电视市场的占有率保持在70%以上，但是今年的出货量比去年减少了26%，使得市场占有率大幅下滑。与此同时，海信的mini LED电视出货量在短短一年内增加了18倍，而TCL的出货量同比增长了112%。

在过去三四年里，mini LED电视蓬勃发展，随着mini LED组件的供应链在大中华区建立，进一步巩固了中国企业的价格优势。TCL通过其子公司华星光电，更是成功地垂直整合了完整的面板和产品线，确保了稳定的供应。随着中国企业在mini LED领域越来越强势，也开始挑战三星和LG在高端电视市场的霸主地位。数据显示，mini LED电视在高端细分市场已经成为OLED电视强有力的竞争对手，今年第三季度出货量同比增长26%，达到了90.5万台，紧跟OLED电视的136万台。

去年TCL的电视出货量首次超越LG，登上了第二名，而今年海信已升至第三名。三星和LG希望能利用技术优势，应对中国企业的低成本战略。

据Business Korea报道，三星计划在日本横滨建造先进半导体封装研发基地，一方面期待未来通过3D堆叠提高芯片性能，另一方面会将研究重点放在人工智能和第5代移动通信网络的半导体封装处理技术上。

三星之所以选择在日本打造先进封装研究中心，与供应链的合作是关键。目前三星正在与日本的材料及设备企业共同开发先进半导体技术，其中包括世界第四大半导体设备制造商东京电子（TEL）以及佳能、TDK和村田制作所等知名公司。此外，三星还计划至2027年底，在当地聘用100多名半导体专家。

据了解，三星最初计划投资300亿日元，不过在日本政府的积极劝说及加大补助的承诺下，三星将投资总额提高至400亿日元，其中政府补贴占了一半，达到了200亿日元。日本政府希望以三星的投资为契机，吸引更多国外的投资，提高自身半导体产业的竞争力。

根据曝光图片，三星Galaxy S24全系均配备第三代骁龙8移动平台，但Galaxy S24仅提供8GB+128GB/8GB+256GB版本，而Galaxy S24+及Galaxy S24 Ultra则会提供12GB+256GB/12GB+512GB版本。

在屏幕方面全系均配备三星第二代Dynamic AMOLED直屏，最高亮度均为2600nits，但Galaxy S24的分辨率是1080P，Galaxy S24+及Galaxy S24 Ultra则是2K。

影像配置方面，Galaxy S24及Galaxy S24+配备5000万像素的主摄，长焦镜头在Space Zoom功能的加持下最高可实现30倍变焦效果，而且支持2倍/3倍的光学变焦，而Galaxy S24 Ultra则配备2亿像素主摄，长焦镜头在“Space Zoom”功能的加持下最高可实现100倍变焦效果，支持2倍/3倍/5倍/10倍光学变焦。视频拍摄方面全系均支持最高8K分辨率拍摄。

续航充电方面，Galaxy S24电池容量为4000mAh，30分钟以内可从0%充到50%，Galaxy S24+电池容量为4900mAh，30分钟以内可从0%充到65%，而Galaxy S24 Ultra电池容量则为5000mAh，30分钟以内可从0%充到65%。

其他配置方面，三星Galaxy S24全系支持IP68级别防尘防水功能，Galaxy S24及Galaxy S24+将在机身上采用第二代Armor Aluminum（铠甲铝）材料，可增强手机抗摔性，而Galaxy S24 Ultra则配备钛金属机身。三款机型中仅有三星Galaxy S24 Ultra支持三星S Pen。

三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。明年计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。到了2025年，三星将会开始大规模量产SF2（2nm）工艺。

据了解，目前三星在3nm GAA工艺上的良品率为60%，距离70%的及格线始终有一段距离。同时三星的良品率非常不稳定，使得高通取消了第四代骁龙8的双代工厂计划，至少未来一年仍完全依赖台积电，新的代工策略被迫推迟至2025年。良品率始终是三星需要面对的首要问题，如果在2nm工艺上得不到解决，即便提供更大的折扣，有着明显的价格优势，也难以吸引大客户的订单。

这次三星获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权，有助于确保购入下一代High-NA EUV光刻设备，为其DRAM存储芯片和逻辑芯片的生产创造出优化High-NA EUV技术使用的机会。除了确保2nm芯片制造设备进入韩国，三星更看重的是与ASML建立的合作伙伴关系，以便更好地利用下一代光刻设备。

High-NA EUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征，同时每小时能生产超过200片晶圆。此前英特尔已宣布购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统，计划从2025年使用High-NA EUV进行生产。

据了解，ASML计划明年生产10台High-NA EUV系统，其中英特尔已购入了6台。有消息称，台积电计划在2024年引入High-NA EUV系统，为2025年末2nm工艺进入大批量生产做好准备。ASML打算未来几年内，将High-NA EUV系统的年产量提升至20台。

目前5nm制程节点的栅极间距为50nm，不过这是使用单侧互连的简单FinFET。三星展示的CFET方案里，栅极间距为45/48nm，比起英特尔的60nm要更小。尽管三星的CFET原型里45nm栅极间距版本性能有所下降，但研究人员认为通过对制造过程的优化可以解决这个问题。三星成功之处是能够电气隔离堆叠的n和p两种MOS器件的源和漏，关键步骤是使用一种涉及湿化学品的新型干刻蚀来替代湿法刻蚀。另外与英特尔单个晶体管使用3个纳米片不同，三星是成对晶体管使用单个纳米片。

台积电与三星一样，设法将栅极间距控制在48nm，其CFET方案的特点包括一种在顶部和底部晶体管之间形成介电层的新方法，以保持间距。纳米片通常由硅和硅锗的交替层形成，台积电尝试使用硅锗专用刻蚀方法，在释放硅纳米线之前于两个晶体管之间构建隔离层。

据了解，CFET技术转化为商业大规模使用大概还需要7到10年的时间，在此之前仍然有许多前期准备工作要完成。

与蝙蝠利用回声定位在黑暗中导航类似，ToF传感器通过计算发射光到达和离开物体所需的时间来测量距离和深度。ISOCELL Vizion 63D专为捕捉高分辨率3D图像与特殊的细节而设计，属于间接ToF传感器，可以测量发射光和反射光之间的相移，以三维方式感知周围环境，服务于工业机器人以及XR设备，也是实现安全的面部生物识别的理想选择。

ISOCELL Vizion 63D能以QVGA（320 x 240）30fps的速度捕获图像，1/6.4 英寸传感器具有3.5μm像素，可用于拍摄VGA（640 x 480）分辨率的视频。同时ISOCELL Vizion 63D是业内首款集成深度传感硬件ISP（图像信号处理器）的传感器，利用增强光吸收的后向散射技术（BST），实现了业界最高水平的量子效率，从而以最小的运动模糊产生更清晰的图像质量。

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除了利用增强光吸收的后向散射技术外，ISOCELL Vizion 931还采用了前深沟隔离技术（FDTI），在像素之间设置了一个绝缘层，以最大限度地吸收光线。此外，ISOCELL Vizion 931支持多路连接，可以使用一根线将多达四个摄像头连接到应用处理器，减少了布线，也为设备制造商提供了更大的设计灵活性。