2001年，时任IBM新兴产品总监的苏姿丰博士开始了Cell处理器的开发工作：“我们（IBM）从一张白纸开始，坐下来试着想象五年后我们需要什么样的处理器。IBM、索尼和东芝最后做出了决定，创建一个极其注重并行化的处理器。”

今天这种方法在多核处理器、超线程、以及能效核中已经相当普遍，但是要知道，超线程技术是在2002年出现的，而英特尔和AMD首批多核处理器大概在2005年上市。相比之下IBM走在了前面，2001年就发布了第一款用于工作站和服务器的多核处理器，同时准备开发PlayStation 3的Cell处理器。

苏姿丰博士表示，考虑到并行化的设计，当时开发Cell处理器的时候雄心勃勃，从商业角度来看是成功的，不过从历史的角度来看，可能会有不同的答案。外界普遍认为PlayStation 3在产品开发上并不太成功，放在整个PlayStation系列游戏主机里可能也是最糟糕的一款，苏姿丰博士算是回应了这种说法。

在苏姿丰博士看来，游戏主机经历了几个阶段，但是自从转向高清时代以后，开发成本就大幅度增加，开发人员就会非常积极地支持多处理器，游戏引擎也随之出现，突然就没有人愿意为Cell进行优化，只是想直接运行。

G24H1显示器搭载了23.8英寸Fast IPS面板，色深为8bit，可视角度为178度（水平和垂直），分辨率为FHD（1920 x 1080），刷新率为200Hz，响应时间为1ms，SDR/HDR亮度分别为350/400尼特，静态对比度达到了1000:1，DCI-P3色域为95%，色准Delta≤2。HKC表示，经过专业电竞色彩调校，可以精准还原游戏战场，让玩家畅享更逼真沉浸的视觉盛宴。

HKC为G24H1显示器提供了定制游戏模式，拥有丰富的游戏辅助功能，玩家可以随心调整自定义功能选项。其中游戏模式包括游戏准星、暗场亮效、游戏计时和Free Sync，职业情景预设包括暗部均衡（FPS）、色彩均衡（RPG）、以及色彩增益（RCG）。

G24H1显示器拥有两个HDMI 2.0接口、一个DisplayPort 1.4接口、以及音频插孔，采用了六边形小巧底座，稳固支撑的同时占地面积更小，配备的人体工学支架，具有0至100mm±5mm升降高度、-5°至20°的前倾后仰、以及-90°至90°的垂直旋转。此外，该款显示器还支持75 x 75 mm规格的VESA壁挂，便于玩家使用悬臂支架。

据TrendForce报道，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，产能的重点是HBM产品。未来工厂还会过渡到1-delta工艺，将增加极紫外光刻设备的数量，并升级洁净室设施。日本政府已经批准高达1920亿日元的建设补贴，以支持美光的广岛工厂生产下一代芯片，另外还会有88.7亿日元的生产成本补贴和250亿日元的研发成本补贴。

Fab 15是美光HBM产品的主要生产基地之一，负责前端晶圆生产和通硅孔（TSV）工艺的部分，而后端堆叠和测试工艺则由中国台湾台中的工厂负责。目前HBM市场增长势头强劲，但是面临较低的良品率、更大的芯片尺寸等问题，与DDR5相比，生产相同位元需要大约三倍的晶圆，将挤压传统DRAM的产能。由于美光急需提升HBM出货量，中国台湾的工厂明年开始也将加入到前端晶圆生产和通硅孔工艺的工作中，以进一步提升产能。

考虑到美光至2025年的HBM产能都已经被客户预定，建设新工厂变得势在必行。美光希望到2025年，能占据20%至25%的HBM市场份额，力争提高到与传统DRAM相当的水平。

根据Tom’s Hardware的消息，Realtek在今年的台北电脑展上展示了他们的SSD主控线路图，当中就包括一款采用PCIe 5.0 x4接口的RTS5782主控。该主控是Realtek的高端产品，具备8个NAND通道，支持3600MT/s的闪存接口，支持4K LDPC ECC纠错，可采用DDR4、LPDDR3/4x作为缓存，性能方面也是相当顶级的，连续读取速度高达14000MB/s，连续写入速度达到12000MB/s，4K随机读写IOPS为2500K，不过目前该主控还处于规划阶段，具体发布日期未确定。

在RTS5782上市之前，它们还有一款PCIe 4.0 x4和一款PCIe 5.0 x4的主控，两者均为入门级产品。RTS5776DL是一款专为低端SSD设计的PCIe 4.0主控，采用DRAM-Less方案，具备4个NAND通道，支持3600MT/s的闪存接口，连续读写速度达到7400MB/s，随机读写IOPS为1200K，预计在2024年第四季度推出工程样品。

RTS5781DL则是一款四通道PCIe 5.0 x4主控，同样是DRAM-Less的方案，具备4个NAND通道，支持3600MT/s的闪存接口，连续读写速度达到10000MB/s，随机读写IOPS为1400K，预计在2025年第一季度推出工程样品。

据TomsHardware报道，西部数据分享了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存大量比较性能数据，称与竞争对手的闪存产品相比，功耗、存储密度和I/O性能的表现都得到了提升。一个闪存颗粒是由多个NAND闪存芯片堆叠封装而成，这意味着存储厂商使用16个新款闪存芯片堆叠，就能在单个封装中提供4TB。如果能够实现大批量生产，那么足以重新定义大容量SSD的成本。

西部数据执行副总裁兼闪存业务总经理Robert Soderbery表示，很高兴与大家分享这款芯片，设计的初衷是为了满足数据中心和人工智能（AI）存储的需求，西部数据将很快宣布这款产品，与大家分享世界上容量最大的内存芯片。

根据西部数据的说法，BiCS8 2Tb QLC NAND闪存的密度比起竞争对手高出15~19%，I/O接口速度比竞争对手快了50%，同时每GB数据所需要的程序能效比竞争对手低了13%。西部数据还介绍了制造方法，采用的是CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起，有点类似于长江存储的Xtacking架构。

宏碁 传奇Go AI笔记本 16英寸，Ryzen 7 8845+16G+1TB，首发价4299元，京东地址：点此前往>>>

传奇Go AI笔记本采用灰黑外观设计，官方命名为“星辰灰”，A/D面为金属材质，14/16英寸版本机身厚度均为17.9mm，重量分别约1.4kg和1.7kg。两款笔记本的分别搭载14/16英寸屏幕，屏幕比例16:10，分辨率1900×1200，屏占比可达85%/89%，色域覆盖100% sRGB，均采用DC调光，护眼无频闪。处理器方面，两个版本都搭载了AMD Ryzen 7 8845H处理器，基于Zen 4架构，拥有8核16线程，使用台积电4nm工艺制造，最高加速频率可达5.1 GHz；内置Radeon 780M核显，拥有12个CU，频率达2.7 GHz；处理器还支持AMD Ryzen AI，总AI算力可达38TOPS。

宏碁为传奇Go AI笔记本配备了16GB的双通道LPDDR5-6400内存，同时还有1TB PCIe 4.0 SSD，且额外提供一个M.2硬盘位，方便用户扩展容量；内置58Wh电池，可提供10小时续航，并支持100W PD充电。笔记本C面配有三挡背光键盘和大尺寸触摸板，B面则有摄像头，配备物理防窥挡板。机身左右两侧有扩展接口，包括2个全功能Type-C接口、1个HDMI接口、2个USB 3.2 Gen1 接口、1个RJ45网口、1个MicroSD卡槽和1个二合一耳麦接口。

据Wccftech报道，近日Digital Foundry的技术专家在与玩家的互动中，回答了有关新款PlayStation掌机的问题，强调受制于功耗和内存带宽等因素，现阶段想打造一台能够运行PlayStation 4游戏的手持游戏设备很难实现。索尼还没有决定定制SoC的最终规格，传闻配有18个CU，GPU的频率大概是1.8GHz。此外，索尼还要考虑掌机与“Jaguar”CPU的一些兼容性问题。

目前智能手机领域没有任何设备能够达到运行PlayStation 4游戏的规格，不过索尼可能更倾向于Steam Deck这类的设计，然后可以通过降低设置和分辨率来运行当前的3A大作。Digital Foundry认为，考虑到以远程游戏为主的PlayStation Portal现在全球的销售情况，索尼想推出新款掌机的想法非常好。

由于缺乏足够的支持和用户群体，在经历PlayStation Vita的挫折后，索尼离开了手持游戏设备市场已经有一段时间了，期间只是通过PlayStation Portal试探性地回到了这个市场。随着近两年手持游戏设备重新受到关注，索尼似乎有点迫不及待地想重回战场。

据ctee报道，包括英伟达、AMD、英特尔、高通、联发科、苹果和谷歌在内的七家科技巨头将逐步采用台积电的3nm工艺。由于高需求和有限的供应能力，上游IC设计公司已经开始传出涨价消息。

传闻高通采用N3E工艺制造的第四代骁龙8的定价将比上一代芯片上涨25%，预计超过250美元，是首波涨价的产品，这有可能引发随后的价格上涨趋势。有业内人士表示，去年移动芯片的采购成本已经很高了，第三代骁龙8已经达到了约200美元。联发科今年将带来天玑9400，采用同样的工艺制造，不知道是否会追随高通的定价策略。

据了解，3nm制程节点的成本比起5nm制程节点高出约25%，不过这一比较没有考虑到芯片的大小、订单数量和设计架构等因素，从纸面上来看，高通第四代骁龙8的涨价看起来似乎也在合理范围内。台积电总裁魏哲家曾表示，台积电的产品具有高能效和更高的良品率，考虑到每个芯片的成本，台积电提供的解决方案仍然是最具成本效益的。

此前有报道称，台积电正在考虑提价，这有可能进一步推动芯片价格上涨。

现在威刚再次携手华硕，推出新的产品：XPG D300系列TUF GAMING联名内存。威刚表示，这款内存不仅在外观设计上拥有出色的颜值，并有着出色稳定性和高性能，旨在为FPS游戏爱好者提供更强大的产品搭配。

XPG D300系列TUF GAMING联名内存以龙耀LANCER BLADE RGB DDR5为基础打造，不仅继承了XPG一贯的高品质，更与华硕TUF GAMING系列深度捆绑，实现了颜值与性能的完美结合。其散热片的设计延续了TUF GAMING系列的特有风格和元素，充分展现了电竞特工风范。独特的外观设计，让玩家可以与TUF全家桶完美搭配，为用户带来统一、酷炫的装机体验。

威刚与华硕在DDR5时代延伸了合作，从IP、性能、颜值三个维度全方位覆盖，为消费者带来更多元化的选择和DIY体验，共提供了三款产品，分别是：吹雪/RO姬，采用华硕经典IP设计；ROG认证款，通过ROG主板认证，确保提供卓越的内存性能；TUF GAMING联名内存，性能和稳定性上达到了完美平衡。

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