• 英伟达2024Q1将完成各原厂HBM3e产品验证,HBM4预计2026年推出

    吕嘉俭 发布于2023-11-28 17:55 / 关键字: 三星, Samsung, HBM, SK海力士, SK hynix, 美光, micron

    几天前,英伟达公布了2024财年第三财季(截至2023年10月29日)的财报,其中数据中心业务再次成为了亮点,收入为145.1亿美元,远远高于去年同期的38亿美元,也高于市场预期的127亿美元,同比增长324%,环比增长38%。Omdia的统计数据显示,英伟达在2023年第三季度大概售出了50万块A100和H100计算卡。

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  • SK海力士将使用子公司的KrF PR,用于制造238层NAND闪存

    吕嘉俭 发布于2023-11-20 14:07 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    SK海力士在2020年,以400亿韩元(约合人民币2.22亿元)收购了锦湖石油化学的电子材料业务部门。据The Elec报道,近期其开发的厚氟化氪(KrF)光致抗蚀剂(PR)已经通过了SK海力士的质量检验。

    三星使用的是Dongjin semhem的产品,与SK海力士的KrF PR相似,厚度大概14至15微米。SK海力士将核心材料交由子公司开发,使得旗下存储器在市场相比竞争对手更具竞争力。随着明年存储器市场逐渐恢复正常,SK海力士的KrF PR销售额也将随之增长。日本的JSR也在开发了自己的PR,厚度为10微米。

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  • 英伟达与SK海力士对GPU进行重新设计:将HBM以3D堆叠在逻辑核心上

    吕嘉俭 发布于2023-11-20 09:13 / 关键字: 英伟达, NVIDIA, SK海力士, SK hynix, HBM3

    SK海力士是现阶段HBM类产品的市场领导者,占据了最大的市场份额,也是英伟达数据中心GPU主要的显存供应商。目前SK海力士、三星和美光都在开发下一代HBM4,内存堆栈预计将采用2048位接口。

    据Joongang.co.kr报道,SK海力士正在招募CPU、GPU等逻辑半导体的设计人员,目标是将未来的HBM4以3D堆叠在逻辑核心上。这种方法有点类似于AMD的3D V-Cache技术,不过容量更高且更便宜,只是速度会慢一些。这不仅改变了逻辑和存储芯片的互连方式,也将改变制造方式。如果SK海力士这一计划获得成功,很大程度上会改变代工行业的运作方式。

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  • SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T商用化,提供16GB容量套装产品

    吕嘉俭 发布于2023-11-14 12:01 / 关键字: SK海力士, SK hynix, LPDDR5T

    SK海力士宣布,已正式向客户供应LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)的16GB容量套装产品,数据传输速率高达9.6Gbps,这是迄今为止世界上最快的商业化移动DRAM产品。

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  • AI带动HBM3需求激增,SK海力士和三星2025年前订单排满

    吕嘉俭 发布于2023-11-06 10:53 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK hynix, HBM

    目前三星和SK海力士正围绕HBM3领导地位展开了激烈的争夺,为包括英伟达及AMD在内的客户供应HBM3。双方见证了来自人工智能(AI)行业的大量订单涌入,市场需求巨大或许超过了原先的预期。

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  • 传西数与铠侠闪存业务合并谈判已终止:遭到SK海力士强烈反对

    吕嘉俭 发布于2023-10-27 14:47 / 关键字: Kioxia, 铠侠, 西部数据, SK海力士, SK hynix

    自2021年开始,西部数据和铠侠(Kioxia)就NAND闪存生产业务合并断断续续地进行谈判,前一段时间有报道称,双方即将敲定最终计划,以打造全球最大的NAND闪存制造商。

    据相关媒体报道,目前西部数据和铠侠之间的合并谈判已经终止。原因是该计划遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对,让西部数据选择中止谈判。另外铠侠的主要股东贝恩资本对于合并条款存在分歧,一直未能在交易的细节部分达成一致。

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  • SK海力士公布2023财年第三财季财报:业绩持续改善,加大高附加值产品的投资

    吕嘉俭 发布于2023-10-26 11:36 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    SK海力士(SK hynix)公布了截至2023年9月30日的2023财年第三财季财务报告,显示因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加,业绩在第一季度低点过后持续改善,特别是面向人工智能(AI)的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好。

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  • SK海力士宣布LPDDR5T已完成第三代骁龙8平台验证:速率9.6Gbps,容量16GB

    吕嘉俭 发布于2023-10-25 15:04 / 关键字: SK海力士, SK hynix, 高通, Qualcomm, LPDDR5T

    SK海力士宣布,其LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)已在高通第三代骁龙8移动平台上完成了性能及兼容性的验证,速率高达9.6Gbps,这是世界上最快的商业化移动DRAM。

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  • 三星和SK海力士将加速CXL技术开发:继HBM之后的“新蓝海”

    吕嘉俭 发布于2023-10-13 15:08 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK hynix, CXL

    CXL作为一种开放性的互联协议,能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联,满足现今高性能异构计算的要求,并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。其建立在PCIe 5.0标准的物理和电气接口上,目前最新规范已来到Compute EXpress Link(CXL)3.0。

    据Business Korea报道,近日有市场调查机构的报告显示,全球CXL市场规模在2028年将达到150亿美元,虽然目前只有不到10%的CPU与CXL标准兼容,但预计到2027年所有CPU都被设计为支持CXL接口。预计2028年全球CXL市场的80%收入来自于DRAM,也就是说占了150亿美元中的120亿美元。

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  • 三星和SK海力士获得美国无限期豁免,可向其在华工厂提供设备

    吕嘉俭 发布于2023-10-10 09:14 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK Hynix

    据相关媒体报道,存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免,不需要特别的许可批准,即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。韩国总统办公室随后也通报了这一消息,表示已收到通知,这意味着两家韩国半导体企业在华经营和投资的不确定性得到了很大的缓解,可以在更长的周期内探索全球经营战略。

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  • SK海力士展示生成式AI加速卡AiMX原型:基于GDDR6-AiM构建

    吕嘉俭 发布于2023-09-18 14:53 / 关键字: SK海力士, SK Hynix

    去年SK海力士宣布,已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术,首款基于该技术的产品为GDDR6-AiM(Accelerator-in-Memory/内存加速器),将计算功能添加到速率为16 Gbps的GDDR6上。

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  • SK海力士开发出全球最高规格HBM3E:已向客户提供样品验证,计划2024H1量产

    吕嘉俭 发布于2023-08-21 11:49 / 关键字: SK海力士, SK hynix, HBM, HBM3E

    SK海力士宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。新产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB的数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级别的电影(5GB)。

    HBM(High Bandwidth Memory)属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发,其中HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本。

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  • SK海力士LPDDR5T得到联发科新一代移动平台验证:达9.6Gbps,或是天玑9300

    吕嘉俭 发布于2023-08-11 15:45 / 关键字: SK海力士, SK hynix, 联发科, MediaTek, LPDDR5T

    SK海力士宣布,其LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)已在联发科下一代天玑旗舰移动平台上完成了性能验证,速率高达9.6Gbps,是世界上最快的移动DRAM。

    SK海力士在今年年初推出了LPDDR5T,兼具了高速度和低功耗的特性,在JEDEC设定的1.01V至1.12V超低电压范围内运行,同样集成了HKMG(High-K Metal Gate)工艺,并计划采用1αnm工艺制造,以实现最佳的性能。相比于之前的LPDDR5X内存,LPDDR5T的速度提高了13%,达到了9.6 Gbps。为了强调其高速特性,所以命名的时候在规格名称最后加上了“T”作为后缀。

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  • SK海力士量产24GB LPDDR5X DRAM:采用HKMG工艺,已向OPPO供货

    吕嘉俭 发布于2023-08-11 12:12 / 关键字: SK海力士, SK hynix, LPDDR5X

    SK海力士宣布,开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能LPDDR5X DRAM的24GB封装产品。

    SK海力士在去年已成功开发出全球首款集成HKMG工艺的LPDDR5X内存,采用1αnm工艺制造。相比上一代产品,该款LPDDR5X降低了25%的功耗,并在JEDEC设定的1.01V至1.12V超低电压范围内运行。此次SK海力士在原有产品基础上,将容量提升至24GB的移动DRAM封装,并开始供货了。

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  • SK海力士展示全球首款321层NAND闪存样品,计划2025H1量产

    吕嘉俭 发布于2023-08-09 09:57 / 关键字: SK海力士, SK hynix

    SK海力士宣布,将在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会(Flash Memory Summit 2023)上,首次展示了全球首款321层NAND闪存,成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。此外,SK海力士还会介绍了包括PCIe 5.0及UFS 4.0相关的新一代NAND闪存解决方案。

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