据Wccftech报道，随着三星加快1cnm DRAM的开发和量产工作，SK海力士似乎更加认真地对待竞争对手。SK海力士很可能成为首个将1cnm DRAM技术提升至6层EUV的存储器厂商，从而为市场设定新的标准，并增强自身在消费端和HBM的竞争力。更为重要的一点是，这次升级还将推进SK海力士下一代DRAM技术的开发，为未来加入High-NA EUV设计奠定基础。

相比于DUV，EUV的应用针对于更为复杂的电路，在采用先进制程的逻辑芯片上已经得到了广泛的应用，不过在DRAM技术上仍处于初级阶段。现在的DRAM技术采用的是EUV与DUV层结合的混合方案，而SK海力士则计划将1cnm DRAM完全切换到6层EUV，这使其能够打造出良品率更高、性能更强、利润更高的产品。

目前1cnm DRAM技术还没有用于任何传统的消费端内存解决方案，SK海力士还在探索其他的选择，EUV作为新一代DRAM技术的组成部分，将会长期使用，预计在下一代内存上会有更多的应用。

财报显示，2025财年第二季度的收入为22.232万亿韩元（约合162.73亿美元/人民币1164.96亿元），同比增长35%，环比增长26%；营业利润为9.2129万亿韩元（约合67.4亿美元/人民币482.76亿元），同比增长68%，环比增长24%；净利润为6.9962万亿韩元（约合51.21亿美元/人民币366.6亿元），同比增加70%，环比减少14%；营业利润率为41%，净利润率为31%。

SK海力士表示，旗下DRAM和NAND闪存产品的出货量均超出预期，由此创下了历史最高业绩。其中DRAM业务领域，全面扩大了12层HBM3E产品的销售，NAND闪存各应用领域的销售都在增加。凭借面向AI的存储器领域业界最高水平的竞争力和以盈利为导向的经营活动，延续了良好业绩趋势。此外，客户在第二季度提高存储器订单的同时，还提高了成品产量，维持了稳定的库存水平。

SK海力士预计，下半年客户的新产品上市在即，存储器需求将持续增长趋势。同时计划在年内开始供应搭载LPDDR的服务器模组，开始供应24Gb（3GB）模块的GDDR7产品，并扩大基于QLC的高容量企业级固态硬盘（eSSD，enterprise SSD）的销售，构建基于321层NAND闪存的产品组合，从而进一步提升市场竞争力。

据TrendForce报道，传闻英伟达今年打算采购多达80万个SOCAMM单元，而三星、SK海力士和美光都希望能分一杯羹。美光似乎抢占了先机，有消息指出，已经开始生产SOCAMM内存模块，成为英伟达首个供应商。与此同时，三星和SK海力士也积极加入到这场竞赛中，新的DRAM战争一触即发，有望成为HBM之后又一市场增长点。

与RDIMM相比，SOCAMM在相同容量下提供超过2.5倍的带宽，同时仅为行业标准RDIMM尺寸的三分之一，可实现紧凑、高效的服务器设计。利用LPDDR5X，SOCAMM产品的功耗仅为标准DDR5 RDIMM的三分之一。与LPCAMM2类似，SOCAMM也是单面四颗粒，通过三固定螺丝孔固定，不过不同的是，SOCAMM顶部没有凸出的梯形结构，进一步降低了整体高度，更适合服务器的安装和液体散热环境。

有报告指出，SOCAMM的价格仅为HBM芯片的25%至33%，在服务器领域非常具有吸引力，这也是三大原厂竞相抢入这个新兴市场的原因之一，以占据领先地位。

据TrendForce报道，SK海力士已经将DDR4/LPDDR4X合约价格上调20%，标志着会有新一轮的涨价。按照目前情况来看，预计2025年第三季度主流DRAM的平均合同价格将上涨10%至15%，其中LPDDR4的涨幅更大，达到了23%至28%。

三星、SK海力士和美光三大原厂中，SK海力士应该是最后一个淘汰DDR4的。SK海力士计划在2025年10月停止接单，并在2026年4月之前完成发货。其实在SK海力士之前，三星已经在5月初与主要客户达成协议，将DDR4的价格上调20%左右，传闻美光甚至在5月将DDR4的价格调高了50%。从而导致现货价格飙升。

TrendForce表示，2025年第三季度市场对DDR4需求仍保持强劲，供应商的目标是更积极的定价。由于像南亚科技（Nanya）这些规模相对较小的DRAM芯片制造商暂时还没有跟上，无论产能还是产品规格，还不能完全满足市场的需求，预计未来一段时间内DDR4供应仍处于紧张状态。更为麻烦的是，DRAM芯片制造商优先满足服务器市场，导致消费市场供应更加有限。

据了解，HBM的利润是标准DRAM的3到5倍，8层堆叠的HBM3芯片（24GB）售价略高于200美元，而8层堆叠的HBM3E芯片（36GB）售价还要高出许多，接近于400美元，接下来12层堆叠的HBM4芯片甚至可能高于600美元。考虑到HBM产品的高利润，SK海力士更倾向于扩大1bnm DRAM产能，以支持HBM3E和HBM4的出货。

为了满足HBM等新一代DRAM的生产能力，SK海力士在去年将位于韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，扩充1bnm DRAM生产线。M15X按计划将于2025年11月竣工，当全面投入运营时，可以将SK海力士的HBM产能提高20%至30%。

与SK海力士和美光在HBM4上都选择了1bnm DRAM不同，三星则将赌注压在1cnm DRAM上，从去年末开始扩大投资。

这一发展是在NAND解决方案产品对高性能和低功耗的要求日益增加的情况下进行的，以确保设备上AI应用程序稳定运行。SK海力士预计，针对AI工作负载优化的UFS 4.1产品将有助于增强其在旗舰智能手机市场的内存领导地位。其提供了4300MB/s的数据传输速度，同时通过提高随机读写速度来提供一流的性能，相比于之前的第四代UFS产品分别降低了15%和40%。

随着对设备端AI的需求增加，设备计算能力和电池效率之间的平衡变得更加重要，移动市场现在要求移动设备的轻薄性和低功耗。与上一代基于238层NAND闪存的产品相比，电源效率提高了7%，厚度从之前的1毫米降至0.85毫米，可以更好地适应超薄智能手机。

SK海力士计划在今年内获得客户资格，并从明年第一季度开始批量发货。另外SK海力士还会面向消费者和数据中心带来基于321层1Tb 4D NAND闪存打造的SSD，计划今年内完成开发。

SK海力士在今年3月的股东大会上称，将保持供应的灵活性，专注于需求，而不是价格的上涨。不过随着市况的变化，SK海力士也相应地做了调整。市场调查数据显示，2025年第二季度12层HBM3E的出货量增加，同时包括HBM在内的DRAM平均价格将提高3-8%，涨价的动力主要来自移动和消费类DRAM。

近期美国开始执行新的关税政策，不少客户都担心SK海力士大幅提高定价，但官方称针对主要客户的HBM销售计划不变，与之前签署的合同完全一致。虽然SK海力士60%的收入来自于美国的客户，但实际上大部分产品运往其他地方。

竞争对手三星从4月初开始就准备提高DRAM和NAND闪存芯片的价格，与全球客户的谈判已经在进行当中，预计涨幅在3-5%。考虑到现阶段全球贸易充满了不确定性，2025年下半年存储器产品的价格有可能进一步被推高。

HBM解决方案是SK海力士在台积电2025年北美技术论坛的重点展示部分，主要是12层堆叠的HBM4和16层堆叠的HBM3E。早在3月，SK海力士已经宣布成为全球首个向主要客户供应HBM4的存储器厂商，并计划2025年下半年完成量产工作。

HBM4属于第六代HBM产品，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。SK海力士引入了在HBM3E获得认可的Advanced MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量，I/O接口速度达8Gbps，带宽可提高至2TB/s。新工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。

据了解，SK海力士下一步打算带来16层堆叠的HBM4，容量可进一步提高至48GB。

财报显示，2025财年第一季度的收入为17.6391万亿韩元（约合123.3亿美元/人民币899.59亿元），同比增长42%，环比减少11%；营业利润为7.4405万亿韩元（约合52.03亿美元/人民币379.47亿元），同比增长158%，环比减少8%；净利润为8.1082万亿韩元（约合56.69亿美元/人民币413.52亿元），同比大幅增加323%，环比增长1%；营业利润率为42%，净利润率为46%。

SK海力士表示，2025年第一季度受到了人工智能开发竞争加剧和库存补充需求等影响，存储器市场情况改善速度显著快于预期。顺应这一趋势，扩大了12层HBM3E、DDR5等高附加值产品的销售。尽管处于季节性淡季，但是仍然取得了截然不同的业绩，即便未来市场进入调整期，也将持续致力于优化业务体制，以实现卓越业绩。

SK海力士认为，全球不确定性加剧，导致需求前景的多变性增加，将加强与供应链的协作。HBM通常需要提前一年与客户进行供应量协商，预计今年将持续保持增长，增幅约一倍，预计12层HBM3E在第二季度的销售将占整个HBM3E比重的一半以上。本季度已开始供应LPCAMM2模块，另外也准备启动SOCAMM供应。

SK海力士表示：“将此产品应用于服务器系统，相比于现有的DDR5模组，容量增长了50%，宽带扩展了30%，可处理每秒最多36GB的数据。SK海力士持续致力于开发多样化的解决方案，以克服现有系统具有成本高昂和扩展有限的问题，力争实现‘Optimal Innovation5’。公司将满足客户日益多样化的应用需求，同时大幅提升存储器的扩展性与灵活性，从而为客户提供优化的价值。”

继96GB产品验证，SK海力士正在与其他客户开展128GB产品的验证流程。其中搭载1bnm（第五代10nm级别）工艺制造的32Gb DDR5 DRAM模块，具备优越的性能功耗比。SK海力士计划尽早完成这一验证，以完善CXL产品组合，从而在客户需要时能够及时供货。

除了CXL DRAM研发外，SK海力士还积极致力于CXL生态系统的扩展。SK海力士自主研发的CXL优化软件HMSDK在去年9月，已成功应用于全球最大的开源操作系统Linux中，从而显著提升了基于CXL的系统性能。

据Wccftech报道，SK海力士在去年下半年开始了1cnm DRAM芯片的试产工作，初期的良品率为60%，而现在已经提升至80%至90%。在人工智能（AI）浪潮中，采用先进工艺技术制造的DRAM芯片逐渐受到了存储器厂商的重视。凭借1cnm工艺技术取得突破，SK海力士很可能在消费端和数据领域都占据优势，从而超越三星成为DRAM领域的技术领导者。

SK海力士的1cnm DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，运行速率为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，另外能效也提高了9%以上。同时SK海力士在1cnm工艺上进行了设计技术革新，与前一代1β (b) nm工艺相比，生产率提高了30%以上。SK海力士还运用了新材料，并针对EUV适用工艺进行了优化，以确保成本竞争力。按照SK海力士的说法，改用1cnm DDR5 DRAM后，可以为数据中心节省30%以上的电费。暂时还不清楚什么时候进入市场，可能没那么快。

过去几年里，SK海力士逐渐脱颖而出，在HBM领域占据了主导地位。SK海力士已经将下一阶段重点放在了HBM4，预计量产时间也早于竞争对手，差距很可能会继续扩大。SK海力士并不着急扩展1cnm工艺技术，不一定会用于HBM4，有可能等到HBM4E才加入。

据DigiTimes报道，SK海力士已经在本周四向英特尔支付了最后一笔款项，彻底控制了英特尔原有的NAND闪存以及存储业务。根据英特尔向美国证券交易委员会（SEC）提交的文件显示，交易是在3月27日完成的，扣除某些调整项目后，收到的金额约为19亿美元。按照之前的说法，SK海力士支付的金额应该是22.35亿美元。

SK海力士在完成第一阶段交易后，已经将英特尔相关的NAND闪存以及存储业务转移到名为Solidigm的新公司运营。Solidigm属于SK海力士的子公司，总部设在美国加利福利亚州的圣何塞。

去年Solidigm开始和母公司一起转向SK海力士客户路线图，将精力集中在数据中心SSD产品上，成为用于人工智能（AI）部署的大容量eSSD的领导者，为AI数据管道的各个阶段和通用计算工作负载提供了最广泛的产品组合。

英伟达希望与业界巨头展开合作，将新一代存储技术SOCAMM尽早商业化，大规模生产可能在2025年末开始。在这次GTC 2025上，SK海力士和美光都公布了自家的SOCAMM内存模块，将用于英伟达最新发布的Blackwell Ultra GB300产品线。

其中美光表示，SOCAMM解决方案已经实现量产，这将是世界上最快、最小、最低功耗和最高容量的内存模块，为不断增长的人工智能（AI）工作负载提供了大容量内存，满足了AI服务器和数据密集型应用的需求。

与RDIMM相比，SOCAMM在相同容量下提供超过2.5倍的带宽，允许更快地访问更大的训练数据集和更复杂的模型，以及提高推理工作负载的吞吐量；

SOCAMM的尺寸为14 x 90 mm，仅为行业标准RDIMM尺寸的三分之一，可实现紧凑、高效的服务器设计；

利用LPDDR5X，SOCAMM产品的功耗仅为标准DDR5 RDIMM的三分之一，直接影响AI架构中的功耗性能曲线；

SOCAMM解决方案使用了4颗16-die堆叠的16Gb LPDDR5X颗粒，从而实现了128GB容量，结合128-bit位宽和8533 MT/s速率，对于更快的AI模型训练和增加推理工作负载的并发用户来说至关重要；

SOCAMM内存模块还有这优秀的可扩展性和可维护性，增强的纠错功能具有以数据中心为中心的测试流程，为数据中心提供了优化的内存解决方案。

与LPCAMM2类似，SOCAMM也是单面四颗粒，通过三固定螺丝孔固定。不过与LPCAMM2不同的是，SOCAMM顶部没有凸出的梯形结构，进一步降低了整体高度，更适合服务器的安装和液体散热环境。

SK海力士表示：“以引领HBM市场的技术竞争力和生产经验为基础，能够比原计划提早实现12层HBM4的样品出货，并已开始与客户的验证流程。公司将在下半年完成量产准备，由此巩固在面向AI的新一代存储器市场领导地位。”

在12层HBM4上，SK海力士采用了在HBM3E获得认可的Advanced MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量。该工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。SK海力士还以业界最大规模的HBM供应经验为基础，对性能进行验证，并做好量产准备工作。

SK海力士从2022年的HBM3开始，逐渐在HBM细分市场领跑。SK海力士在2024年陆续实现了8层和12层HBM3E产品的量产，并通过开发和供应上的精准把控，维持了面向AI的存储器市场领导力。HBM4属于第六代HBM产品，如无意外，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。

去年4月，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。其中台积电负责生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），采用N5和N12FFC+工艺。不过也有消息称，SK海力士可能改变计划，以3nm生产更先进的HBM4基础裸片。

虽然最新消息称，三星的8/12层堆叠HBM3E有可能在2025年5月底至6月初获得英伟达的认证，并有望在2025年上半年内量产HBM3E。不过比起SK海力士，三星还是要落后太多。SK海力士早在2024年3月就量产了8层堆叠HBM3E，同年9月又量产了12层堆叠HBM3E。

SK海力士的12层堆叠HBM3E采用了12颗3GB DRAM芯片，与现有8层产品相同厚度下，容量提升50%，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。为了实现此目标，SK海力士将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。SK海力士还解决了将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题，将MR-MUF工艺应用到新产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

外界估计，GB300将是英伟达在GTC 2025上的亮点，其逻辑结构与GB200相似，共有8个12层堆叠的HBM3E模块，容量达到288GB。